[发明专利]集成电路系统、DRAM电路系统、用于形成集成电路系统的方法及用于形成DRAM电路系统的方法

权利要求书

1.一种用于形成集成电路系统的方法，其包括：

形成包括导电材料的多个导电通路，所述导电通路通过中间材料相对于彼此间隔；

在所述通路的所述导电材料顶部上及在介于所述通路之间的所述中间材料顶部上形成不连续材料；

在所述不连续材料顶部上、直接抵靠所述不连续材料及在所述不连续材料之间并且在所述通路的所述导电材料顶部上及直接抵靠所述通路的所述导电材料形成金属材料，所述金属材料具有与所述不连续材料的成分不同的成分并且在介于所述通路之间的所述中间材料之上；及

形成在其之下具有不连续材料的所述金属材料以包括在介于所述通路之间并且直接抵靠所述通路中的个别者的所述中间材料顶部上的导电线。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括形成所述通路的所述导电材料以包括在上导体材料之下的下导电掺杂半导电材料，所述上导体材料具有与所述下导电掺杂半导电材料的成分不同的成分。

3.根据权利要求2所述的方法，其循序地包括：

在所述中间材料的开口内形成所述下导电掺杂半导电材料；

使所述导电掺杂半导电材料在开口内竖直凹陷；及

在所述开口内在所述竖直凹陷导电掺杂半导电材料顶部上形成所述导体材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述不连续材料是绝缘的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述不连续材料是导电的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述不连续材料包括元素形式硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述不连续材料包括贯穿其的空隙空间，所述空隙空间具有大于所述不连续材料的所述材料的总水平面积的总水平面积。

8.根据权利要求1所述的方法，其包括形成相对于彼此横向间隔的多个所述导电线，所述不连续材料横向地在所述多个导电线之间。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述不连续材料是不绝缘的，并且所述方法进一步包括将不绝缘的所述不连续材料转变为在所述多个导电线之间横向绝缘。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述多个导电线通过减成图案化及蚀刻形成，所述蚀刻从横向地在所述多个导电线之间去除所述不连续材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其包括形成相对于彼此横向间隔的多个所述导电线，所述不连续材料不横向地在所述多个导电线之间。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述中间材料的最上部分包括绝缘材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述中间材料的最上部分包括导电材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述导电材料包括导电掺杂半导电材料。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述中间材料的最上部分包括半导电材料。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述中间材料的最上部分包括绝缘材料及导电材料。