[发明专利]用于通过压力辅助低温烧结工艺来制造电子部件的压力烧结装置和方法在审
申请号: | 202080017750.3 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN113519043A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 马丁·贝克尔;德克·迪特曼 | 申请(专利权)人: | 丹佛斯硅动力有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05K13/04;H01L21/98;H01L21/60;H05K3/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈明 |
地址: | 德国弗*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种用于通过压力辅助低温烧结工艺来制造电子部件(34,34’,34”)的方法,该压力辅助低温烧结工艺通过使用具有上模(4)和下模(6)的压力烧结装置(2)来进行。上模(4)和/或下模(6)设置有第一压力垫(10,10”,10”’,210,210”,210”’)。该方法包括以下步骤:将第一部件(26)放置在设置于第一基板(20+12+22)的顶层(22)上的第一烧结层(24)上,以旨在形成第一电子部件(34);在要形成的第一电子部件(34)上方或下方的水平面中,将至少第二部件(26’,26”)放置在设置于第二基板(20’+12’+22’,20”+12”+22”)的顶层(22’,22”)上的第二烧结层(24”,24””)上,以旨在形成第二电子部件(34’,34”);将第二压力垫(10’,10”,10”’,10””,10””’,210’,210”,210”’,210””,210””’)放置在要形成的第一电子部件(34)和第二电子部件(34’,34”)之间;以及通过将上模(4)和下模(6)压向彼此,借助于第一烧结层(24)联结第一部件(26)和第一基板(20+12+22)的顶层(22)以形成第一电子部件(34)、以及借助于第二烧结层(24”,24””)联结第二部件(26’,26”)和第二基板(20’+12’+22’,20”+12”+22”)的顶层(22’,22”)以形成第二电子部件(34’,34”),其中,同时加热烧结装置(2)。该方法可以进一步包括用布置成与第一压力垫(10,210)接合的第一保护箔(18)覆盖第一部件(26)的步骤。该方法还可以包括用第二保护箔(18’,18”)覆盖第二部件(26’,26”)的步骤。压力垫(10,10’,10”,10”’,10””,10””’)中的一个或多个可以是可变形压力垫(210,210’,210”,210”’,210””,210””’),其可以包括容纳在外壳中的流体。板(36,36’)可以布置在相邻的电子部件(34,34’,34”)之间,其中,板(36)可以设置有加热元件(32’),或者可以通过感应器件(232)来加热板(36,36’)。第一电子部件(34,34’,34”)或第二电子部件(34,34’,34”)可以包括底板(28,28’,28”),该底板可以用作附加压力垫。第一电子部件和第二电子部件(34,34’,34”)可以是包括绝缘件(12,12’,12”)的双面电子部件,该绝缘件具有设置有第一烧结层(24,24”,24”’)的顶表面,第一部件(26,26”,26”’)放置到该第一烧结层上,并且该绝缘件具有设置有第二烧结层(24’,24”’)的底面表面,第二部件(26’,26”’)布置到该第二烧结层上。 | ||
搜索关键词: | 用于 通过 压力 辅助 低温 烧结 工艺 制造 电子 部件 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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