[发明专利]存储器件及其制造方法

摘要

一种存储器件包括：衬底；以及堆叠结构，其包括交替地布置的第一电介质层和电极层。在第一横向方向上，所述存储器件包括中间区和阵列区。在第二横向方向上，所述堆叠结构包括各自包括壁结构区的第一块存储区和第二块存储区。在所述中间区中，所述第一块存储区和所述第二块存储区的壁结构区被阶梯结构隔开。所述存储器件进一步包括：束结构，其位于所述中间区中，并且包括各自沿所述第二横向方向延伸并且连接所述第一块存储区和所述第二块存储区的所述壁结构区的至少多个分立的第一束结构；以及多个第二电介质层，其位于所述束结构中。在所述第一束结构中，所述第二电介质层是与所述第一电介质层交替的。