[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底；

堆叠结构，其包括交替地布置在所述衬底上的多个第一电介质层和多个电极层，其中：

在关于所述衬底的第一横向方向上，所述存储器件包括阵列区和布置在所述阵列区之间的中间区，以及

在关于所述衬底的第二横向方向上，所述堆叠结构包括各自包括壁结构区的第一块存储区和第二块存储区，其中，在所述中间区中，所述第一块存储区和所述第二块存储区的壁结构区被阶梯结构隔开；

束结构，其位于所述中间区中，以及包括各自沿所述第二横向方向延伸并且连接所述第一块存储区和所述第二块存储区的所述壁结构区的至少多个分立的第一束结构；以及

多个第二电介质层，其位于所述束结构中，其中，在所述多个分立的第一束结构中，所述多个第二电介质层是与所述多个第一电介质层交替的。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中：

所述束结构还包括第二束结构，所述第二束结构被安排为跨所述第一块存储区和所述第二块存储区，以及在所述第一横向方向上延伸穿过所述中间区，其中：

在所述第二束结构中，所述多个第二电介质层是与所述多个第一电介质层交替的。

3.根据权利要求2所述的存储器件，还包括：

第一隔离结构，其是沿所述第一横向方向在所述中间区的每一侧上垂直地穿过所述堆叠结构并且沿所述第二横向方向在所述第一块存储区与所述第二块存储区之间形成的。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中：

所述第一隔离结构是由二氧化硅制成的。

5.根据权利要求3所述的存储器件，其中：

沿所述第一横向方向，所述阶梯结构包括多个子阶梯结构，以及相邻的子阶梯结构被所述多个分立的第一束结构中的一个第一束结构隔开。

6.根据权利要求5所述的存储器件，还包括：

第一分隔结构，其是垂直地穿过所述堆叠结构形成的，以及沿所述第一横向方向位于每个阵列区中的所述第一块存储区与所述第二块存储区之间。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中：

所述第一块存储区包括与所述第二块存储区相对的第一边缘，以及所述第二块存储区包括与所述第一块存储区相对的第二边缘；以及

所述存储器件还包括形成在所述第一边缘和所述第二边缘中的每项上并且延伸穿过所述阵列区和所述阶梯结构的第二分隔结构。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述第一块存储区和所述第二块存储区中的每项还包括：

沿所述第一横向方向延伸的多个指存储区，其中：

在所述第二横向方向上，所述第一块存储区的所述多个指存储区和所述第二块存储区的所述多个指存储区位于其间。

9.根据权利要求8所述的存储器件，还包括：

形成在所述第一块存储区和所述第二块存储区中的每项内的并且位于所述壁结构区与相邻的指存储区之间的多个第三分隔结构，其中：

在所述第一块存储区或者所述第二块存储区的每个阵列区中，第三分隔结构延伸穿过所述阵列区；以及

在所述第一块存储区或者所述第二块存储区的所述中间区中，第三分隔结构被安排在靠近所述壁结构区的每个子阶梯结构的边缘处，其中，所述第三分隔结构的长度短于或者等于所述子阶梯结构的宽度。

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中：

在所述第一块存储区或者所述第二块存储区内，每个子阶梯结构包括形成在与所述壁结构区相邻的指存储区中的多个台阶；以及

所述存储器件还包括：形成在与所述壁结构区相邻的所述指存储区中的用于电连接所述多个台阶的多个字线触点。