[发明专利]具有背面互连结构的三维存储器件

摘要

公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括：衬底；在衬底上方包括交错的导电层和电介质层的存储堆叠层；均垂直地延伸穿过存储堆叠层的多个沟道结构；在多个沟道结构上方并与之接触的半导体层；在存储堆叠层上方并与半导体层接触的多个源极触点；穿过半导体层的多个触点；以及在平面视图中包括源极线网格的在半导体层上方的背面互连层。多个源极触点分布在源极线网格下方并与之接触。多个触点中的第一组分布在源极线网格下方并与之接触。