[发明专利]具有背面互连结构的三维存储器件

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

衬底；

存储堆叠层，所述存储堆叠层在所述衬底上方包括交错的导电层和电介质层；

多个沟道结构，所述多个沟道结构均垂直地延伸穿过所述存储堆叠层；

半导体层，所述半导体层在所述多个沟道结构上方并与所述多个沟道结构接触；

多个源极触点，所述多个源极触点在所述存储堆叠层上方并与所述半导体层接触；

穿过所述半导体层的多个触点；以及

在所述半导体层上方的背面互连层，所述背面互连层在平面视图中包括源极线网格，其中，所述多个源极触点分布在所述源极线网格下方并与所述源极线网格接触，并且所述多个触点中的第一组分布在所述源极线网格下方并与所述源极线网格接触，

其中，在所述平面视图中，所述背面互连层还包括多个源极选择栅(SSG)线，并且所述多个触点中的第二组分布在所述源极选择栅线下方并与所述源极选择栅线接触。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，在所述平面视图中，所述存储堆叠层包括具有所述沟道结构的两个核心阵列区域以及在第一横向方向上在所述两个核心阵列区域之间的阶梯区域。

3.根据权利要求2所述的三维存储器件，其中，在所述平面视图中，所述源极选择栅线中的每个在所述第一横向方向上跨过所述两个核心阵列区域和所述阶梯区域延伸，并且所述触点中的所述第二组分布在所述核心阵列区域中。

4.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述触点中的第二组中的每个进一步延伸到所述存储堆叠层中，以与所述存储堆叠层的所述导电层中的一个接触。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的三维存储器件，其中，在所述平面视图中，所述源极选择栅线在垂直于所述第一横向方向的第二横向方向上平行地均匀分布。

6.根据权利要求1-4中的任一项所述的三维存储器件，其中，在所述平面视图中，所述背面互连层还包括电源线网格，并且所述多个触点中的第三组分布在所述电源线网格下方并与所述电源线网格接触。

7.根据权利要求6所述的三维存储器件，其中，在所述平面视图中，所述触点的所述第三组分布在存储阵列之外的阶梯区域或外围区域中的至少一个中。

8.根据权利要求6所述的三维存储器件，其中，所述电源线网格具有梳状形状。

9.根据权利要求6所述的三维存储器件，其中，所述背面互连层还包括键合焊盘，所述键合焊盘通过所述触点中的所述第三组电连接到所述电源线网格。

10.根据权利要求1-4和7-9中的任一项所述的三维存储器件，其中，所述源极线网格具有梳状形状。

11.一种三维(3D)存储器件，包括：

衬底；

存储堆叠层，所述存储堆叠层在所述衬底上方包括交错的导电层和电介质层；

多个沟道结构，所述多个沟道结构均垂直地延伸穿过所述存储堆叠层；

半导体层，所述半导体层在所述多个沟道结构上方并与所述多个沟道结构接触；

与所述半导体层接触的多个源极触点，其中，所述沟道结构中的每个在所述源极触点中的相应的一个下方并与所述源极触点中的相应的一个横向地对准；

穿过所述半导体层的多个触点；以及

在所述半导体层上方的背面互连层，所述背面互连层在平面视图中包括源极线网格，其中，所述源极线网格在所述源极触点中的每个上方并与所述源极触点中的每个接触，

其中，在所述平面视图中，所述背面互连层还包括多个源极选择栅(SSG)线，并且所述多个触点中的一组触点分布在所述源极选择栅线下方并与所述源极选择栅线接触。

12.根据权利要求11所述的三维存储器件，其中，所述多个触点中的另一组触点穿过所述半导体层并且分布在所述源极线网格下方并与所述源极线网格接触。