[发明专利]用于形成在三维存储器件中的接触结构的方法

摘要

公开了3D存储结构的实施方式和用于形成其的方法。制造方法包括：形成在3D NAND存储器件的阶梯区域、外围器件区域和衬底接触区域中的多个开口。开口可以由跟随有多个蚀刻工艺的光刻工艺形成。开口可以包括暴露下层的完整开口和中间开口，其中光刻胶的剩余部分仍然存在于开口和下层之间。光刻胶的剩余部分可以使在下层阶梯结构的较深开口的形成期间在上层阶梯结构的较短开口中的蚀刻工艺延迟。导电材料沉积到开口内以形成用于结构(诸如衬底接触焊盘、上层阶梯结构和下层阶梯结构和/或外围器件)的接触结构。