[发明专利]用于形成在三维存储器件中的接触结构的方法

权利要求书

1.一种用于形成三维(3D)存储结构的方法，包括：

形成上层阶梯结构和下层阶梯结构；

在衬底上形成包括所述上层阶梯结构和所述下层阶梯结构的电介质层；

将第一蚀刻停止层布置在所述电介质层上；

将硬掩模层布置在所述第一蚀刻停止层上；

将第二蚀刻停止层布置在所述硬掩模层上；

在所述第二蚀刻停止层上形成光刻胶层并且暴露在光掩模板之下的所述光刻胶层，其中，所述光掩模板包括不透明区域、在所述下层阶梯结构之上的透明区域和在所述上层阶梯结构之上的半透明区域；

执行第一蚀刻工艺以在所述第二蚀刻停止层中形成第一多个开口，其中，所述第一多个开口在所述下层阶梯结构之上形成；

执行第二蚀刻工艺，其包括：

使所述第一多个开口延伸到所述硬掩模层内；以及

在所述第二蚀刻停止层中形成第二多个开口，其中，所述第二多个开口在所述上层阶梯结构之上形成；以及

执行额外的蚀刻工艺，其包括：

在所述第一多个开口中并且顺序地在所述第二多个开口中暴露所述硬掩模层、所述第一蚀刻停止层和所述电介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述额外的蚀刻工艺包括：

执行第三蚀刻工艺，其包括：

使所述第一多个开口延伸到所述电介质层内，直到所述下层阶梯结构的最上面的导电层在所述第一多个开口中的开口中暴露为止；以及

使所述第二多个开口延伸到所述硬掩模层内；

执行第四蚀刻工艺以蚀刻所述硬掩模层的一部分，直到所述第一蚀刻停止层在所述第二多个开口中暴露为止；并且

执行第五蚀刻工艺，其包括：

使所述第一多个开口延伸，使得所述第一多个开口中的每个开口与所述下层阶梯结构的相应导电层物理接触；以及

使所述第二多个开口延伸，使得所述第二多个开口中的每个开口与所述上层阶梯结构的相应导电层物理接触。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述第三蚀刻工艺包括：使所述第一多个开口延伸穿过所述第一蚀刻停止层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述第四蚀刻工艺包括：在所述第二多个开口中蚀刻穿过所述第一蚀刻停止层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：将导电材料布置在所述第一多个开口和所述第二多个开口中，以形成针对所述下层阶梯结构和所述上层阶梯结构的字线触点。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：在所述第一蚀刻停止层和所布置的导电材料上执行平面化工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述光掩模板的所述透明区域之下形成第一多个光刻胶开口，其中，所述第一多个光刻胶开口具有等于所述光刻胶层的厚度的第一深度；以及

在所述半透明区域之下形成第二多个光刻胶开口，其中，所述第二多个光刻胶开口具有小于所述光刻胶层的所述厚度的第二深度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述第一蚀刻工艺包括：通过所述第一多个光刻胶开口移除所述第二蚀刻停止层的部分。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：使所述第二多个光刻胶开口延伸以暴露所述第二蚀刻停止层的部分，并且其中，执行所述第二蚀刻工艺包括：移除所述第二蚀刻停止层的所暴露的部分。