[实用新型]量子阱结构、芯片及激光器有效
| 申请号： | 202023289626.9 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN215185003U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杨彦伟;刘宏亮;邹颜 | 申请（专利权）人： | 芯思杰技术（深圳）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/12 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 艾青;牛悦涵 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请总体来说涉及激光技术领域，具体而言，涉及一种量子阱结构、芯片及激光器，其中量子阱结构包括，量子阱结构包括InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层，所述InAlAs量子阱层设置多层，所述InAlGaAs量子阱层的厚度与InAlAs量子阱层厚度相同，且相邻两个所述InAlAs量子阱层之间设置有所述InAlGaAs量子阱层，其中，所述InAlAs量子阱层的厚度在0.4nm‑0.6nm之间，所述InAlAs量子阱层的数量在3‑17之间，本申请方案中，InAlAs量子阱层的厚度及层数，在量子阱结构厚度不变的情况下，量子阱结构厚度与单层量子阱层厚度的比值增大了，量子阱限制参数Γ的值增大了，量子阱限制参数增大会减小了芯片阈值电流，提高芯片传输速率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 结构 芯片 激光器 | ||
【主权项】：
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