[实用新型]量子阱结构、芯片及激光器有效
| 申请号： | 202023289626.9 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN215185003U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杨彦伟;刘宏亮;邹颜 | 申请（专利权）人： | 芯思杰技术（深圳）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/12 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 艾青;牛悦涵 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 结构 芯片 激光器 | ||
1.一种量子阱结构，用于DFB激光器芯片，其特征在于，包括：
InAlAs量子阱层，所述InAlAs量子阱层设置多层；
InAlGaAs量子阱层，所述InAlGaAs量子阱层的厚度与InAlAs量子阱层厚度相同，且相邻两个所述InAlAs量子阱层之间设置有所述InAlGaAs量子阱层，
其中，所述InAlAs量子阱层的厚度在0.4nm-0.6nm之间，所述InAlAs量子阱层的数量在3-17之间。
2.如权利要求1所述的量子阱结构，其特征在于，所述InAlAs量子阱层的厚度为0.5nm。
3.如权利要求2所述的量子阱结构，其特征在于，所述InAlAs量子阱层的数量为6，所述InAlGaAs量子阱层的数量为5。
4.一种芯片，其特征在于，设置有权利要求1-3任一所述的量子阱结构。
5.如权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括衬底、缓冲层及设置于所述缓冲层的下渐变层组，所述量子阱结构生长于所述下渐变层组。
6.如权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述下渐变层组包括第一下渐变层及位于所述第一下渐变层与所述量子阱结构之间的第二下渐变层；
所述第一下渐变层的厚度为40nm-60nm，所述第二下渐变层厚度为8nm-12nm。
7.如权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括依次叠设于所述量子阱结构的上渐变层组、覆盖层、腐蚀截止层、顶层、过渡层及接触层。
8.如权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述上渐变层组包括第一上渐变层及位于所述第一上渐变层与所述量子阱结构之间的第二上渐变层；
所述第一上渐变层的厚度为40nm-60nm，所述第二上渐变层厚度为8nm-12nm。
9.一种激光器，其特征在于，安装有权利要求4-8任一所述的芯片。
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