[实用新型]量子阱结构、芯片及激光器

说明书

本申请总体来说涉及激光技术领域，具体而言，涉及一种量子阱结构、芯片及激光器，其中量子阱结构包括，量子阱结构包括InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层，所述InAlAs量子阱层设置多层，所述InAlGaAs量子阱层的厚度与InAlAs量子阱层厚度相同，且相邻两个所述InAlAs量子阱层之间设置有所述InAlGaAs量子阱层，其中，所述InAlAs量子阱层的厚度在0.4nm‑0.6nm之间，所述InAlAs量子阱层的数量在3‑17之间，本申请方案中，InAlAs量子阱层的厚度及层数，在量子阱结构厚度不变的情况下，量子阱结构厚度与单层量子阱层厚度的比值增大了，量子阱限制参数Γ的值增大了，量子阱限制参数增大会减小了芯片阈值电流，提高芯片传输速率。

技术领域

本申请总体来说涉及激光技术领域，具体而言，涉及一种量子阱结构、芯片及激光器。

背景技术

DFB激光器芯片结构主要包含N电极、多层量子阱外延结构、布拉格光栅层、脊波导及P型电极，激光主要是通过多层量子阱结构在正向电流的作用下形成离子数反转，形成受激辐射，产生激光。

多层量子阱结构是产生激光的关键，根据激光原理，激光器芯片的阈值电流主要与量子阱的限制参数相关，量子阱限制参数越大，芯片阈值电流越小，而根据现有量子阱结构及加工工艺，限制参数较小，芯片的阈值电流较大，严重影响了芯片的传输速率。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决芯片的阈值电流较大造成传输速率低的技术问题，本申请的主要目的在于，提供一种量子阱结构、芯片及激光器。

为实现上述实用新型目的，本申请采用如下技术方案：

一种量子阱结构，用于DFB激光器芯片，包括：

InAlAs量子阱层，所述InAlAs量子阱层设置多层；

InAlGaAs量子阱层，所述InAlGaAs量子阱层的厚度与InAlAs量子阱层厚度相同，且相邻两个所述InAlAs量子阱层之间设置有所述 InAlGaAs量子阱层，

其中，所述InAlAs量子阱层的厚度在0.4nm-0.6nm之间，所述 InAlAs量子阱层的数量在3-17之间。

进一步的，在本方案的一些实施例中，上述InAlAs量子阱层的厚度为0.5nm。

进一步的，在本方案的一些实施例中，上述InAlAs量子阱层的数量为6，所述InAlGaAs量子阱层的数量为5。

一种芯片，设置有上述量子阱结构。

进一步的，在本方案的一些实施例中，上述芯片还包括衬底、缓冲层及设置于所述缓冲层的下渐变层组，所述量子阱结构生长于所述下渐变层组。

进一步的，在本方案的一些实施例中，上述下渐变层组包括第一下渐变层及位于所述第一下渐变层与所述量子阱结构之间的第二下渐变层；

所述第一下渐变层的厚度为40nm-60nm，所述第二下渐变层厚度为 8nm-12nm。

进一步的，在本方案的一些实施例中，上述芯片还包括依次叠设于所述量子阱结构的上渐变层组、覆盖层、腐蚀截止层、顶层、过渡层及接触层。

进一步的，在本方案的一些实施例中，上述上渐变层组包括第一上渐变层及位于所述第一上渐变层与所述量子阱结构之间的第二上渐变层；

所述第一上渐变层的厚度为40nm-60nm，所述第二上渐变层厚度为8nm-12nm。

一种激光器，安装上述芯片。