[实用新型]一种不易折弯的沟槽IGBT芯片结构有效
| 申请号： | 202023221461.1 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN213601860U | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 黄昌民 | 申请（专利权）人： | 无锡昌德微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32 |
| 代理公司： | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人： | 张燕平 |
| 地址： | 214000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种不易折弯的沟槽IGBT芯片结构，涉及IGBT芯片技术领域。本实用新型包括沟槽芯片主体，沟槽芯片主体的一侧装配有第一加强卡板，沟槽芯片主体的另一侧装配有第二加强卡板，第一加强卡板靠近第二加强卡板的一侧面的两端均固定有插板，第二加强卡板靠近第一加强卡板的一侧面的两端均开设有装配槽。本实用新型通过第一加强卡板、第二加强卡板与插板配合，使得装置能够增加装置整体的强度，避免沟槽芯片主体因撞击挤压产生变形，通过固定块、螺纹柱与固定片配合，使得装置能够对固定片的高度进行调节，更加方便对装置整体进行高度微调。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不易 折弯 沟槽 igbt 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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