[实用新型]一种不易折弯的沟槽IGBT芯片结构

说明书

本实用新型公开了一种不易折弯的沟槽IGBT芯片结构，涉及IGBT芯片技术领域。本实用新型包括沟槽芯片主体，沟槽芯片主体的一侧装配有第一加强卡板，沟槽芯片主体的另一侧装配有第二加强卡板，第一加强卡板靠近第二加强卡板的一侧面的两端均固定有插板，第二加强卡板靠近第一加强卡板的一侧面的两端均开设有装配槽。本实用新型通过第一加强卡板、第二加强卡板与插板配合，使得装置能够增加装置整体的强度，避免沟槽芯片主体因撞击挤压产生变形，通过固定块、螺纹柱与固定片配合，使得装置能够对固定片的高度进行调节，更加方便对装置整体进行高度微调。

技术领域

本实用新型属于IGBT芯片技术领域，特别是涉及一种不易折弯的沟槽IGBT芯片结构。

背景技术

IGBT又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，沟槽IGBT芯片也是IGBT芯片的一种，但是现有的沟槽IGBT芯片自身强度较低，容易因碰撞挤压造成装置整体产生形变。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种不易折弯的沟槽IGBT芯片结构，以解决了现有的问题：现有的沟槽IGBT芯片自身强度较低，容易因碰撞挤压造成装置整体产生形变。

为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：一种不易折弯的沟槽IGBT芯片结构，包括沟槽芯片主体，所述沟槽芯片主体的一侧装配有第一加强卡板，所述沟槽芯片主体的另一侧装配有第二加强卡板，所述第一加强卡板靠近第二加强卡板的一侧面的两端均固定有插板，所述第二加强卡板靠近第一加强卡板的一侧面的两端均开设有装配槽，所述第二加强卡板的上表面且位于装配槽一端的位置以及插板的一端均开设有装配孔，所述第一加强卡板与第二加强卡板通过固定钉贯穿第二加强卡板与插板上的装配孔固定。

进一步地，所述第一加强卡板与第二加强卡板另一侧面的两端均固定有高度微调结构，所述高度微调结构包括有固定块、螺纹柱、固定片与转动圆块，所述固定块与第一加强卡板、第二加强卡板固定，所述固定块一端的内部开设有高度调节槽，所述螺纹柱位于高度调节槽内，且所述螺纹柱与固定块转动连接，所述固定片装配在螺纹柱的外侧，且所述螺纹柱与固定片螺纹连接，所述固定块与固定片滑动连接，所述转动圆块固定在螺纹柱的上表面。

进一步地，所述第一加强卡板、第二加强卡板与插板均为钢材质。

进一步地，所述固定块与螺纹柱通过轴承连接。

进一步地，所述转动圆块的上表面开设有十字槽孔。

本实用新型具有以下有益效果：

1、本实用新型通过第一加强卡板、第二加强卡板与插板配合，使得装置能够增加装置整体的强度，避免沟槽芯片主体因撞击挤压产生变形。

2、本实用新型通过固定块、螺纹柱与固定片配合，使得装置能够对固定片的高度进行调节，更加方便对装置整体进行高度微调。

当然，实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的爆炸图；

图3为本实用新型高度微调结构的结构示意图；

图4为本实用新型第一加强卡板与第二加强卡板的连接示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：