[实用新型]带倒V型空腔的3D围坝结构有效
| 申请号： | 202023212913.X | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN213936222U | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 袁广;罗素扑;黄嘉铧 | 申请（专利权）人： | 惠州市芯瓷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01S5/02208 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 吴成开;徐勋夫 |
| 地址： | 516100 广东省惠州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种带倒V型空腔的3D围坝结构，包括有绝缘基板，该绝缘基板的下表面电镀形成有下线路层，绝缘基板的上表面形成有上线路层和环形底层，该环形底层位于上线路层的外围；该环形底层的表面自下而上电镀加厚形成有第一环形加厚层和第二环形加厚层，该环形底层、第一环形加厚层和第二环形加厚层组成形成围坝，第一环形加厚层具有第一槽孔，该第二环形加厚层具有第二槽孔，该第二槽孔的内径小于第一槽孔的内径，第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔。通过设置第一环形加厚层和第二环形加厚层，并配合由第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔，使得围坝可以遮挡封装芯片的部分光线，形成封装暗盒，满足使用的需要，为使用带来便利。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州市芯瓷半导体有限公司，未经惠州市芯瓷半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202023212913.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
