[实用新型]带倒V型空腔的3D围坝结构有效
| 申请号： | 202023212913.X | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN213936222U | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 袁广;罗素扑;黄嘉铧 | 申请（专利权）人： | 惠州市芯瓷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01S5/02208 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 吴成开;徐勋夫 |
| 地址： | 516100 广东省惠州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空腔 结构 | ||
1.一种带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：包括有绝缘基板，该绝缘基板的下表面电镀形成有下线路层，绝缘基板的上表面形成有上线路层和环形底层，该环形底层位于上线路层的外围，且绝缘基板的上下表面贯穿形成有导通孔，该导通孔中填铜而将下线路层和上线路层导通连接；以及，该环形底层的表面自下而上电镀加厚形成有第一环形加厚层和第二环形加厚层，该环形底层、第一环形加厚层和第二环形加厚层组成形成围坝，第一环形加厚层具有第一槽孔，该第二环形加厚层具有第二槽孔，该第二槽孔的内径小于第一槽孔的内径，第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔。
2.根据权利要求1所述的带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：所述第一环形加厚层的厚度小于第二环形加厚层的厚度，第一环形加厚层的宽度小于第二环形加厚层的宽度。
3.根据权利要求1所述的带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：所述第二环形加厚层的表面进一步电镀加厚形成有第三环形加厚层，该第三环形加厚层具有第三槽孔，该第三槽孔的内径小于第二槽孔的内径，第三槽孔、第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔。
4.根据权利要求3所述的带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：所述第二环形加厚层的厚度小于第三环形加厚层的厚度，第二环形加厚层的宽度小于第三环形加厚层的宽度。
5.根据权利要求1所述的带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：所述第一环形加厚层的外周侧面和第二环形加厚层的外周侧面在竖直方向下平齐。
6.根据权利要求1所述的带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：所述绝缘基板为陶瓷板。
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