[实用新型]一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管有效
| 申请号： | 202023162489.2 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN213546304U | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 祁晓峰;周晔;魏良 | 申请（专利权）人： | 江苏长弘半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 丁博寒 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，包括封装本体和设置在封装本体内部的VDMOS功率器件芯片，封装本体包括基岛和管脚结构，VDMOS功率器件芯片设置在基岛内部，且VDMOS功率器件芯片和管脚结构通过线路连接；基岛包括安装座和设置在安装座上的密封板，安装框架用于安装VDMOS功率器件芯片，密封板与安装座滑动连接，且安装座配合密封板能够形成封闭的腔体结构。将安装VDMOS功率器件芯片的基岛设置为由安装座和密封板构成，实现了对基岛内芯片的封装，同时便于芯片的拆装更换；封装本体的管脚设置为上管脚和下管脚两个部分，当原来使用的电路板想用同一型号的功率器件时，不需要使用新的封装本体进行重新封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠 vdmos 垂直 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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