[实用新型]一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管

权利要求书

1.一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，其特征在于，包括：封装本体（1）和设置在所述封装本体（1）内部的VDMOS功率器件芯片（2），所述封装本体（1）包括基岛（11）和设置在所述基岛（11）下端的管脚结构（12），所述VDMOS功率器件芯片（2）设置在所述基岛（11）内部，且所述VDMOS功率器件芯片（2）和所述管脚结构（12）通过线路连接；

所述基岛（11）包括安装座（111）和设置在所述安装座（111）上的密封板（112），所述安装座（111）用于安装所述VDMOS功率器件芯片（2），所述密封板（112）与所述安装座（111）滑动连接，且所述安装座（111）配合所述密封板（112）能够形成封闭的腔体结构。

2.根据权利要求1所述的高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，其特征在于，所述密封板（112）设置为平板状结构，且所述密封板（112）能够沿其长度方向与所述安装座（111）相对运动，在所述密封板（112）与所述安装座（111）的滑动连接处设置有密封结构，所述密封结构包括分别设置在所述密封板（112）和所述安装座（111）上的密封槽（113）和密封块（114）。

3.根据权利要求2所述的高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，其特征在于，所述密封槽（113）沿所述密封板（112）的长度方向分别开设在其长度方向的两侧边缘处，所述密封块（114）对应所述密封槽（113）沿所述密封板（112）的长度方向设置在所述安装座（111）的两侧内壁上。

4.根据权利要求3所述的高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，其特征在于，所述密封槽（113）包括向所述密封板（112）内部凹陷的两平直面（115），且两所述平直面（115）之间的夹角大于90°，所述密封块（114）对应所述密封槽（113）设置，且所述密封块（114）能够与所述密封槽（113）相契合。

5.根据权利要求4所述的高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，其特征在于，在所述密封板（112）的外表面上设置有摩擦片（116）。

6.根据权利要求1所述的高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，其特征在于，所述管脚结构（12）包括并列安装在所述基岛（11）下端的第一管脚（121）、第二管脚（122）和第三管脚（123），且所述第一管脚（121）、所述第二管脚（122）和所述第三管脚（123）均包括上管脚和下管脚；

其中，所述上管脚与所述基岛（11）相连，所述下管脚与所述上管脚一体成型，所述下管脚能够从所述上管脚下端折断。

7.根据权利要求6所述的高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，其特征在于，所述上管脚的截面均设置为T型，所述下管脚的截面均设置为矩形，设置在所述第二管脚（122）两侧的所述第一管脚（121）的下管脚和所述第三管脚（123）的下管脚均朝所述第二管脚（122）的下管脚偏心设置。

8.根据权利要求6所述的高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，其特征在于，所述VDMOS功率器件芯片（2）包括多个并联设置的VDMOS元胞，所述VDMOS功率器件芯片（2）的栅极（21）通过G引线（23）与所述第一管脚（121）相连，所述VDMOS功率器件芯片（2）的源极（22）通过两根S引线（24）与所述第三管脚（123）相连。