[实用新型]一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管

说明书

本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，包括封装本体和设置在封装本体内部的VDMOS功率器件芯片，封装本体包括基岛和管脚结构，VDMOS功率器件芯片设置在基岛内部，且VDMOS功率器件芯片和管脚结构通过线路连接；基岛包括安装座和设置在安装座上的密封板，安装框架用于安装VDMOS功率器件芯片，密封板与安装座滑动连接，且安装座配合密封板能够形成封闭的腔体结构。将安装VDMOS功率器件芯片的基岛设置为由安装座和密封板构成，实现了对基岛内芯片的封装，同时便于芯片的拆装更换；封装本体的管脚设置为上管脚和下管脚两个部分，当原来使用的电路板想用同一型号的功率器件时，不需要使用新的封装本体进行重新封装。

技术领域

本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管。

背景技术

功率电子技术是所有电力电子系统的基础，功率半导体器件是实现电能转换和控制必不可少的核心器件。随着节能减排、绿色环保理念的确立与推进，功率半导体的重要性日益提高，应用前景越来越广阔。

VDMOSFET是功率电子系统的重要元器件，它为电子设备提供所需形式的电源以及为电机设备提供驱动。VDMOS器件具有不能被横向导电器件所替代的优良性能，包括高耐压、低导通电阻、大功率和可靠性等。随着社会发展需要，电子产品的结构越来越复杂，功率器件中的VDMOS元胞会因电压不稳出现被击穿的情况，导致晶体管的失效，现有的封装形式很多，在损坏替换的情况下不同的封装形式并不能适应其初始对应安装的电路板，已知的封装结构不利于VDMOS元胞的拆装更换。

鉴于上述问题的存在，本设计人基于从事此类产品工程应用多年丰富的实务经验及专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，使其更具有实用性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管。

为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，包括封装本体和设置在所述封装本体内部的VDMOS功率器件芯片，所述封装本体包括基岛和设置在所述基岛下端的管脚结构，所述VDMOS功率器件芯片设置在所述基岛内部，且所述VDMOS功率器件芯片和所述管脚结构通过线路连接；

所述基岛包括安装座和设置在所述安装座上的密封板，所述安装框架用于安装所述VDMOS功率器件芯片，所述密封板与所述安装座滑动连接，且所述安装座配合所述密封板能够形成封闭的腔体结构。

进一步地，所述密封板设置为平板状结构，且所述密封板能够沿其长度方向与所述安装座相对运动，在所述密封板与所述安装座的滑动连接处设置有密封结构，所述密封结构包括分别设置在所述密封板和所述安装座上的密封槽和密封块。

进一步地，所述密封槽沿所述密封板的长度方向分别开设在其长度方向的两侧边缘处，所述密封块对应所述密封槽沿所述密封板的长度方向设置在所述安装座的两侧内壁上。

进一步地，所述限位槽包括向所述密封板内部凹陷的两平直面，且两所述平直面之间的夹角大于90°，所述密封块对应所述密封槽设置，且所述密封块能够与所述密封槽相契合。

进一步地，在所述密封板的外表面上设置有摩擦片。

进一步地，所述管脚结构包括并列安装在所述基岛下端的第一管脚、第二管脚和第三管脚，且所述第一管脚、所述第二管脚和所述第三管脚均包括上管脚和下管脚；

其中，所述上管脚与所述基岛相连，所述下管脚与所述上管脚一体成型，所述下管脚能够从所述上管脚下端折断。

进一步地，所述上管脚的截面均设置为T型，所述下管脚的截面均设置为矩形，设置在所述第二管脚两侧的所述第一管脚的下管脚和所述第三管脚的下管脚均朝所述第二管脚的下管脚偏心设置。