[实用新型]一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器有效
| 申请号： | 202023137953.2 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN213958790U | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 谢志懋;邬文彬 | 申请（专利权）人： | 佛山市欣源电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/228 | 分类号： | H01G4/228;H01G4/224 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 罗炳锋 |
| 地址： | 528000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种低ESR双焊片MKPH‑S型IGBT电容器，包括外壳，所述外壳的内表面固定连接有接线端子，且外壳的底端端面固定连接有底垫，所述接线端子包括有长板，所述长板的右端端面固定连接有竖直板，所述竖直板的外表面固定连接有上焊片，且竖直板的外表面下方位置处固定连接有下焊片,本实用新型可使电容器喷金层与铜焊片的接触电阻降低一倍以上，从而达到降低电容器ESR提高IGBT吸收电容的吸收效果，进一步提高在电路中对IGBT管的保护效果，减少IGBT管应用中损坏，同时在使用时接线端子1具有良好的导电性可优秀的完成工作需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esr 双焊片 mkph igbt 电容器 | ||
【主权项】：
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