[实用新型]一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器有效
| 申请号： | 202023137953.2 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN213958790U | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 谢志懋;邬文彬 | 申请（专利权）人： | 佛山市欣源电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/228 | 分类号： | H01G4/228;H01G4/224 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 罗炳锋 |
| 地址： | 528000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 esr 双焊片 mkph igbt 电容器 | ||
1.一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器，包括外壳（2），其特征在于：所述外壳（2）的内表面固定连接有接线端子（1），且外壳（2）的底端端面固定连接有底垫（3），所述接线端子（1）包括有长板（11），所述长板（11）的右端端面固定连接有竖直板（12），所述竖直板（12）的外表面固定连接有上焊片（13），且竖直板（12）的外表面下方位置处固定连接有下焊片（14）。
2.根据权利要求1所述的一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器，其特征在于：所述接线端子（1）的顶端端面设置有圆孔，所述接线端子（1）的外表面与外壳（2）的内表面为贴合设置。
3.根据权利要求1所述的一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器，其特征在于：所述接线端子（1）具有导电性，所述外壳（2）的顶端端面设置有凹槽。
4.根据权利要求1所述的一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器，其特征在于：所述底垫（3）的顶端端面直径与外壳（2）的底端端面直径相等，所述底垫（3）的两侧均经过钝化处理。
5.根据权利要求1所述的一种低ESR双焊片MKPH-S型IGBT电容器，其特征在于：所述长板（11）与竖直板（12）呈九十度，所述上焊片（13）和下焊片（14）的尺寸规格皆相等，所述上焊片（13）和下焊片（14）处于同一竖直平面内。
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