[实用新型]一种晶体生长热场及拉晶设备有效
申请号: | 202023134793.6 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN214694464U | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 杨思琪;魏国锋;徐金童;杨开晋 | 申请(专利权)人: | 保山隆基硅材料有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/12 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王志炜;王胜利 |
地址: | 678000 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本实用新型公开一种晶体生长热场及拉晶设备,涉及拉晶技术领域,以减少晶体生长热场被腐蚀,提高晶体生长热场的使用寿命。所述晶体生长热场包括用于对原料进行加热的加热器。热场还包括第一热场件和第二热场件。第一热场件和第二热场件相较于加热器更靠近热场的中心轴线。第二热场件套设于第一热场件外。第一热场件和第二热场件之间具有间隙,间隙中具有填充物。所述拉晶设备包括上述技术方案所提的晶体生长热场。本实用新型提供的晶体生长热场用于加热晶料。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体生长 设备 | ||
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