[实用新型]一种晶体生长热场及拉晶设备有效
| 申请号： | 202023134793.6 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN214694464U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 杨思琪;魏国锋;徐金童;杨开晋 | 申请（专利权）人： | 保山隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/12 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王志炜;王胜利 |
| 地址： | 678000 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 设备 | ||
1.一种晶体生长热场，包括用于对原料进行加热的加热器，其特征在于，所述热场还包括第一热场件和第二热场件，所述第一热场件和第二热场件相较于所述加热器更靠近所述热场的中心轴线，所述第二热场件套设于所述第一热场件外，所述第一热场件和第二热场件之间具有间隙，所述间隙中具有填充物。
2.根据权利要求1所述的晶体生长热场，其特征在于，所述第一热场件为坩埚，所述坩埚为石英坩埚；和/或，
所述第二热场件为坩埚，所述坩埚为石墨坩埚。
3.根据权利要求1所述的晶体生长热场，其特征在于，所述第一热场件为电极，所述第二热场件为电极护套。
4.根据权利要求3所述的晶体生长热场，其特征在于，所述电极护套的一端具有挡圈，当所述电极护套与所述电极处于组装状态，所述挡圈位于所述间隙内。
5.根据权利要求1～4任一项所述的晶体生长热场，其特征在于，所述填充物包括一体式填充物和/或填充物分散体。
6.根据权利要求5所述的晶体生长热场，其特征在于，当所述填充物包括填充物分散体，所述填充物分散体为砂状填充物分散体、棉絮状填充物分散体、碎片状填充物分散体中的至少一种。
7.根据权利要求1～4任一项所述的晶体生长热场，其特征在于，所述填充物为隔热绝缘填充物。
8.根据权利要求7所述的晶体生长热场，其特征在于，所述隔热绝缘填充物的导热系数小于或等于7.6W/mK。
9.根据权利要求1～4任一项所述的晶体生长热场，其特征在于，所述填充物包括石英填充物、碳碳复合填充物、石墨填充物中的至少一种；和/或，
所述填充物的耐热温度大于或等于所述热场的温度。
10.一种拉晶设备，其特征在于，包括炉体和如权利要求1～9任一项所述的晶体生长热场，所述晶体生长热场容置于所述炉体内。
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