[实用新型]一种晶体生长热场及拉晶设备

说明书

本实用新型公开一种晶体生长热场及拉晶设备，涉及拉晶技术领域，以减少晶体生长热场被腐蚀，提高晶体生长热场的使用寿命。所述晶体生长热场包括用于对原料进行加热的加热器。热场还包括第一热场件和第二热场件。第一热场件和第二热场件相较于加热器更靠近热场的中心轴线。第二热场件套设于第一热场件外。第一热场件和第二热场件之间具有间隙，间隙中具有填充物。所述拉晶设备包括上述技术方案所提的晶体生长热场。本实用新型提供的晶体生长热场用于加热晶料。

技术领域

本实用新型涉及拉晶技术领域，尤其涉及一种晶体生长热场及拉晶设备。

背景技术

直拉法又称为切克劳斯基法，是由切克劳斯基(Czochralski)建立起来的一种单晶生长方法，简称CZ法。目前，广泛采用单晶炉为单晶生长设备，采用直拉法生长单晶硅棒。

现有技术中，直拉法生长是在单晶炉热场中进行，利用加热器将原料加热，同时借助籽晶从原料熔体中生长并提拉出来单晶硅棒。热场包括坩埚、加热器、保温筒等热场件。其中，加热器具有连接电源的电极结构。上述热场件之间，如电极与其护套之间具有间隙。在拉晶过程中，单晶炉内会产生硅蒸汽。当硅蒸汽进入两个热场件之间的间隙内，硅蒸汽会将热场件腐蚀，降低热场件的使用寿命，甚至导致热场件损坏，引发事故。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶体生长热场及拉晶设备，减少晶体生长热场中热场件被腐蚀的程度，提高热场件的使用寿命，以提高晶体生长热场的使用寿命。

第一方面，本实用新型提供一种晶体生长热场。该晶体生长热场包括用于对原料进行加热的加热器。热场还包括第一热场件和第二热场件。第一热场件和第二热场件相较于加热器更靠近热场的中心轴线。第二热场件套设于第一热场件外。第一热场件和第二热场件之间具有间隙，间隙中具有填充物。

采用上述技术方案时，第一热场件和第二热场件之间具有间隙，间隙中具有填充物。填充物可以将第一热场件和第二热场件之间的间隙填充，使得硅蒸汽不易进入第一热场件和第二热场件之间，减少硅蒸汽接触第一热场件的外壁和第二热场件的内壁，从而减少第一热场件的外壁与第二热场件的内壁被腐蚀的程度，不仅可以提高第一热场件和第二热场件的使用寿命，从而提高晶体生长热场的使用寿命，而且可以提高第二热场件套设在第一热场件的配合度。

在一种可能的实现方式中，上述第一热场件为坩埚。坩埚为石英坩埚。

在一种可能的实现方式中，上述第二热场件为坩埚。坩埚为石墨坩埚。

采用上述技术方案时，当第一热场件为石英坩埚，第二热场件为石墨坩埚时，石英坩埚与石墨坩埚之间的填充物可以将石墨坩埚的内壁覆盖，减少石墨坩埚的内壁与硅蒸汽接触，从而减小石墨坩埚的内壁的腐蚀程度，增加石墨坩埚的寿命，节约成本。并且，因石墨坩埚不易被腐蚀，使石墨坩埚与石英坩埚之间不易出现空隙，使得石英坩埚不易变形，减少因石英坩埚变形导致的石英坩埚破裂、漏硅等情况，也可以提高拉晶设备的工作稳定性。

在一种可能的实现方式中，上述第一热场件为电极。第二热场件为电极护套。

采用上述技术方案时，填充物可以将电极与电极护套之间的间隙填充，填充物不仅可以将电极护套的内壁覆盖，从而减小电极护套的内壁的腐蚀程度，提高电极护套的使用寿命。而且，填充物还可以减少热量从电极与电极护套之间的间隙损失。并且，填充物可以吸收一部分热量，减少电极护套因高温损坏。

不仅如此，填充物位于电极与电极护套之间，填充物可以保护电极，进一步减少电极的热量损失。而且，电极护套可以将填充物限制在电极护套与电极之间，减少填充物在使用过程中，散落在拉晶设备的其他部位，不仅使得填充物容易被清理，而且减少填充物将拉晶设备的其他部位堵塞。

在一种可能的实现方式中，上述电极护套的一端具有挡圈，当电极护套与电极处于组装状态，挡圈位于间隙内。