[实用新型]一种大功率IGBT驱动控制电路有效
| 申请号： | 202022730899.6 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN213817709U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 范立荣;李怀俊;张胜宾;郭海龙;张永栋;王忠文 | 申请（专利权）人： | 广东交通职业技术学院 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F3/21;H03F3/217;H03K17/567;H02M1/08 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 常柯阳 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大功率IGBT驱动控制电路，其中电路包括：PWM输入模块，用于接收PWM输入信号和使能信号，以及向驱动放大模块输出嵌位电压；功率输出模块，包括P沟道场效应管和N沟道场效应管；驱动放大模块，包括PMOS驱动电路和NMOS驱动电路，用于控制所述P沟道场效应管和所述N沟道场效应管有序地切换工作状态。本实用新型通过时序控制方案控制P沟道场效应管和N沟道场效应管两个功率管，即充分利用了场效应管MOSFET漏极输出放大器强驱动输出电流能力，同时又解决了MOS管漏极输出互补放大器产生电流直通现象的问题，可广泛应用于半导体技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 igbt 驱动 控制电路 | ||
【主权项】：
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