[实用新型]一种大功率IGBT驱动控制电路

说明书

本实用新型公开了一种大功率IGBT驱动控制电路，其中电路包括：PWM输入模块，用于接收PWM输入信号和使能信号，以及向驱动放大模块输出嵌位电压；功率输出模块，包括P沟道场效应管和N沟道场效应管；驱动放大模块，包括PMOS驱动电路和NMOS驱动电路，用于控制所述P沟道场效应管和所述N沟道场效应管有序地切换工作状态。本实用新型通过时序控制方案控制P沟道场效应管和N沟道场效应管两个功率管，即充分利用了场效应管MOSFET漏极输出放大器强驱动输出电流能力，同时又解决了MOS管漏极输出互补放大器产生电流直通现象的问题，可广泛应用于半导体技术领域。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种大功率IGBT驱动控制电路。

背景技术

现有专利(如专利号为CN202020318822.5、CN202020365413.0等专利)对IGBT驱动应用电路及各种保护等做了阐述，但这些技术均只能针对中小功率IGBT及智能功率模块进行驱动，对诸如德国Infineon公司超大电压超大电流6500V/750A的IGBT(型号FZ750R65KE3T)(Cies可以达到205nF，栅电荷量Qg达到31uC)无法进行正常驱动。

术语解释：

IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提出一种大功率IGBT驱动控制电路。

本实用新型所采用的技术方案是：

一种大功率IGBT驱动控制电路，包括：

PWM输入模块，用于接收PWM输入信号和使能信号，以及向驱动放大模块输出嵌位电压；

功率输出模块，包括P沟道场效应管和N沟道场效应管；

驱动放大模块，包括PMOS驱动电路和NMOS驱动电路，用于控制所述P沟道场效应管和所述N沟道场效应管有序地切换工作状态；

其中，当所述PWM输入模块接收到高电平时，先关闭所述N沟道场效应管，后开启所述述P沟道场效应管；当所述PWM输入模块接收到低电平时，先关断所述P沟道场效应管，后开启所述述N沟道场效应管。

进一步，所述PWM输入模块包括第一电阻、第二电阻、第六电阻、第七电阻、第一达林顿反相放大器、第二达林顿反相放大器、第三达林顿反相放大器、第四达林顿反相放大器；

所述第一电阻的一端与PWM信号输入端连接，所述第一电阻的另一端分别与第一达林顿反相放大器的输入端和第七电阻的一端连接，所述第一达林顿反相放大器的输出端与第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与第二达林顿反相放大器的输入端连接，所述第二达林顿反相放大器的输出端与所述第四达林顿反相放大器的输入端连接，所述第四达林顿反相放大器的输出端与第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述NMOS驱动电路连接；

所述第七电阻的另一端与第三达林顿反相放大器的输入端连接，所述第三达林顿反相放大器的输出端与所述PMOS驱动电路连接。

进一步，所述PWM输入模块还包括第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管与所述第六电阻并联，所述第二二极管与所述第七电阻并联。

进一步，所述PMOS驱动电路包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第一稳压二极管和第六电容；