[实用新型]一种大功率IGBT驱动控制电路

权利要求书

1.一种大功率IGBT驱动控制电路，其特征在于，包括：

PWM输入模块，用于接收PWM输入信号和使能信号，以及向驱动放大模块输出嵌位电压；

功率输出模块，包括P沟道场效应管和N沟道场效应管；

驱动放大模块，包括PMOS驱动电路和NMOS驱动电路，用于控制所述P沟道场效应管和所述N沟道场效应管有序地切换工作状态；

其中，当所述PWM输入模块接收到高电平时，先关闭所述N沟道场效应管，后开启所述P沟道场效应管；当所述PWM输入模块接收到低电平时，先关断所述P沟道场效应管，后开启所述N沟道场效应管。

2.根据权利要求1所述的一种大功率IGBT驱动控制电路，其特征在于，所述PWM输入模块包括第一电阻、第二电阻、第六电阻、第七电阻、第一达林顿反相放大器、第二达林顿反相放大器、第三达林顿反相放大器、第四达林顿反相放大器；

所述第一电阻的一端与PWM信号输入端连接，所述第一电阻的另一端分别与第一达林顿反相放大器的输入端和第七电阻的一端连接，所述第一达林顿反相放大器的输出端与第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与第二达林顿反相放大器的输入端连接，所述第二达林顿反相放大器的输出端与所述第四达林顿反相放大器的输入端连接，所述第四达林顿反相放大器的输出端与第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述NMOS驱动电路连接；

所述第七电阻的另一端与第三达林顿反相放大器的输入端连接，所述第三达林顿反相放大器的输出端与所述PMOS驱动电路连接。

3.根据权利要求2所述的一种大功率IGBT驱动控制电路，其特征在于，所述PWM输入模块还包括第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管与所述第六电阻并联，所述第二二极管与所述第七电阻并联。

4.根据权利要求2所述的一种大功率IGBT驱动控制电路，其特征在于，所述PMOS驱动电路包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第一稳压二极管和第六电容；

所述第一双极型晶体管的基极与所述第二双极型晶体管的基极均与第三达林顿反相放大器的输出端连接，所述第一双极型晶体管的集电极连接至第一电压，所述第一双极型晶体管的发射极与所述第二双极型晶体管的发射极连接，所述第二双极型晶体管的集电极接地，所述第一双极型晶体管的发射极与所述第一稳压二极管的正极连接，所述第一稳压二极管的负极与所述P沟道场效应管的栅极连接，所述第六电容与所述第一稳压二极管并联。

5.根据权利要求2所述的一种大功率IGBT驱动控制电路，其特征在于，所述NMOS驱动电路包括第三双极型晶体管、第四双极型晶体管、第二稳压二极管、第三稳压二极管、第三二极管和第七电容；

所述第三双极型晶体管的基极和所述第四双极型晶体管的基极均与第二电阻的另一端连接，所述第三双极型晶体管的集电极连接至第一电压，所述第三双极型晶体管的发射极与所述第四双极型晶体管的发射极连接，所述第四双极型晶体管的集电极接地，所述第三双极型晶体管的发射极与所述第二稳压二极管的负极连接，所述第二稳压二极管的正极分别与所述N沟道场效应管的栅极和所述第三稳压二极管的负极连接，所述第三稳压二极管的正极与所述第三二极管的正极连接，所述第三二极管的负极连接至第二电压，所述第七电容与所述第二稳压二极管并联。

6.根据权利要求4所述的一种大功率IGBT驱动控制电路，其特征在于，所述P沟道场效应管的漏极连接至第一电压，所述P沟道场效应管的源极与所述N沟道场效应管的漏极连接，所述N沟道场效应管的源极连接至第二电压。