[实用新型]一种MOSFET的栅极保护电路有效
申请号: | 202022690042.6 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN213484746U | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 彭国建;郭建军;马治军 | 申请(专利权)人: | 上海维安半导体有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/32;H02M1/44;H03K17/081 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201323 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及电路技术领域,尤其涉及一种MOSFET的栅极保护电路,其中,包括:一驱动信号端,以提供一驱动信号;一启动模块,启动模块的输入端连接至驱动信号端,以根据驱动信号产生一启动电流;一电感,电感的一端连接至启动模块的输出端,电感背向启动模块的另一端连接至一待保护的MOS管的控制端,以抑制瞬间电流尖峰和干扰;一关断模块,输入端连接于所述驱动信号端,所述关断模块的输出端连接于所述电感背向待保护的所述MOS管的一端,所述关断模块的公共端接地,起到保护MOS管的作用。有益效果:通过将待保护的MOS管的控制端连接电感,从而对电流尖峰和震荡具有抑制作用,使电流变得平滑,起到保护MOS管的作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 mosfet 栅极 保护 电路 | ||
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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