[实用新型]一种MOSFET的栅极保护电路有效

专利信息
申请号: 202022690042.6 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN213484746U 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 彭国建;郭建军;马治军 申请(专利权)人: 上海维安半导体有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/32;H02M1/44;H03K17/081
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201323 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及电路技术领域,尤其涉及一种MOSFET的栅极保护电路,其中,包括:一驱动信号端,以提供一驱动信号;一启动模块,启动模块的输入端连接至驱动信号端,以根据驱动信号产生一启动电流;一电感,电感的一端连接至启动模块的输出端,电感背向启动模块的另一端连接至一待保护的MOS管的控制端,以抑制瞬间电流尖峰和干扰;一关断模块,输入端连接于所述驱动信号端,所述关断模块的输出端连接于所述电感背向待保护的所述MOS管的一端,所述关断模块的公共端接地,起到保护MOS管的作用。有益效果:通过将待保护的MOS管的控制端连接电感,从而对电流尖峰和震荡具有抑制作用,使电流变得平滑,起到保护MOS管的作用。
搜索关键词: 一种 mosfet 栅极 保护 电路
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