[实用新型]一种MOSFET的栅极保护电路

权利要求书

1.一种MOSFET的栅极保护电路，其特征在于，包括：

一驱动信号端，以提供一驱动信号；

一启动模块，所述启动模块的输入端连接至所述驱动信号端，以根据所述驱动信号产生一启动电流；

一电感，所述电感的一端连接至所述启动模块的输出端，所述电感背向所述启动模块的另一端连接至一待保护的MOS管的控制端；

一关断模块，所述关断模块的输入端连接于所述驱动信号端，所述关断模块的输出端连接于所述电感背向待保护的所述MOS管的一端，所述关断模块的公共端接地。

2.如权利要求1所述的一种MOSFET的栅极保护电路，其特征在于，所述启动模块包括：

一二极管，所述二极管的正极连接至所述驱动信号端形成所述启动模块的输入端；

一第一电阻，所述第一电阻的一端连接至所述二极管的负极，所述第一电阻背向所述二极管的另一端形成所述启动模块的输出端。

3.如权利要求2所述的一种MOSFET的栅极保护电路，其特征在于，所述关断模块包括：

一第二电阻，所述第二电阻的一端连接于所述驱动信号端形成所述关断模块的输入端；

一第三电阻，所述第三电阻的一端连接于所述电感背向待保护的所述MOS管的一端形成所述关断模块的输出端；

一三极管，所述三极管的基极连接至所述第二电阻背向所述驱动信号端的另一端，所述三极管的发射极连接至所述第三电阻背向所述电感的另一端，所述三极管的集电极接地，形成所述关断模块的公共端。

4.如权利要求3所述的一种MOSFET的栅极保护电路，其特征在于，所述三极管为PNP型三极管。

5.如权利要求1所述的一种MOSFET的栅极保护电路，其特征在于，所述待保护的所述MOS管为N型MOS管。

6.如权利要求1所述的一种MOSFET的栅极保护电路，其特征在于，待保护的所述MOS管的漏极连接一电源，待保护的所述MOS管的源极接地；

所述控制端为待保护的所述MOS管的栅极。

7.如权利要求1所述的一种MOSFET的栅极保护电路，其特征在于，所述电感的封装结构为小型化贴片封装结构。

8.如权利要求1所述的一种MOSFET的栅极保护电路，其特征在于，待保护的所述MOS管为电压型驱动器件。