[实用新型]一种MOSFET的栅极保护电路

说明书

本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种MOSFET的栅极保护电路，其中，包括：一驱动信号端，以提供一驱动信号；一启动模块，启动模块的输入端连接至驱动信号端，以根据驱动信号产生一启动电流；一电感，电感的一端连接至启动模块的输出端，电感背向启动模块的另一端连接至一待保护的MOS管的控制端，以抑制瞬间电流尖峰和干扰；一关断模块，输入端连接于所述驱动信号端，所述关断模块的输出端连接于所述电感背向待保护的所述MOS管的一端，所述关断模块的公共端接地，起到保护MOS管的作用。有益效果：通过将待保护的MOS管的控制端连接电感，从而对电流尖峰和震荡具有抑制作用，使电流变得平滑，起到保护MOS管的作用。

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种MOSFET的栅极保护电路。

背景技术

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor金属-氧化物半导体场效应晶体管)作为开关电源的主要产品，在开关电源中扮演着重要的角色，近年来，随着开关电源的功率密度不断提高，MOSFET的开关频率也在不断提高，其开关速度也在提高。MOSFET在高速的开通和关断过程中受到栅极电源的控制，漏极和源极之间的电压不断在低电平和高电平之间切换，高电平可高达500V以上，因此，在这大电压应力下的快速开关，对MOSFET的平稳运行极具考验。

通常，MOSFET失效的原因，大部分是其栅极被干扰而导致的，栅极被干扰易导致MOSFET的栅极受损伤或者被误导通，从而引起整个开关电源失效。因此，MOSFET在工作时受高频变化的栅极电压控制，容易受到干扰，保护栅极的措施必不可少。

现有技术中，MOSFET的栅极电路都是由电阻、二极管、三极管组成，用以保护MOSFET的栅极，然而通过这种电路组成方式，在开关过程中，处理快速变化的驱动信号和干扰时反映有所延迟，易造成故障和失效。因此，针对上述问题，成为本领域技术人员亟待解决的难题。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种MOSFET的栅极保护电路。

具体技术方案如下：

本实用新型提供一种MOSFET的栅极保护电路，其中，包括：

一驱动信号端，以提供一驱动信号；

一启动模块，所述启动模块的输入端连接至所述驱动信号端，以根据所述驱动信号产生一启动电流；

一电感，所述电感的一端连接至所述启动模块的输出端，所述电感背向所述启动模块的另一端连接至一待保护的MOS管的控制端，以抑制由所述启动电流产生的瞬间电流尖峰；

一关断模块，所述关断模块的输入端连接于所述驱动信号端，所述关断模块的输出端连接于所述电感背向待保护的所述MOS管的一端，所述关断模块的公共端接地。

优选的，所述启动模块包括：

一二极管，所述二极管的正极连接至所述驱动信号端形成所述启动模块的输入端；

一第一电阻，所述第一电阻的一端连接至所述二极管的负极，所述第一电阻背向所述二极管的另一端形成所述启动模块的输出端。

优选的，所述关断模块包括：

一第二电阻，所述第二电阻的一端连接于所述驱动信号端形成所述关断模块的输入端；

一第三电阻，所述第三电阻的一端连接于所述电感背向待保护的所述MOS管的一端形成所述关断模块的输出端；

一三极管，所述三极管的基极连接至所述第二电阻背向所述驱动信号端的另一端，所述三极管的发射极连接至所述第三电阻背向所述电感的另一端，所述三极管的集电极接地形成所述关断模块的公共端。

优选的，所述三极管为PNP型三极管。