[实用新型]垂直型高压功率MOS器件有效
| 申请号： | 202022570992.5 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN213546299U | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 黄彦智;俞仲威 | 申请（专利权）人： | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种垂直型高压功率MOS器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：轻掺杂N型漂移层，沟槽内间隔设置有第一栅极多晶硅部、第二栅极多晶硅部，此第一栅极多晶硅部位于第二栅极多晶硅部正上方；所述重掺杂P型植入区与沟槽之间且位于重掺杂N型源极区下方的区域作为通道区，沟槽和栅极多晶硅部上表面覆盖有一绝缘介质层；相邻所述MOS器件单胞之间的P型基体层内具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至轻掺杂N型漂移层的中部，此深凹槽内填充有一绝缘二氧化硅部，此深凹槽上表面覆盖有一第二绝缘介质层。本实用新型高强健性功率避免器件既改善了MOS器件开关损耗，又能承受更高电压，避免在高压时被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 高压 功率 mos 器件 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
