[实用新型]垂直型高压功率MOS器件有效
| 申请号： | 202022570992.5 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN213546299U | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 黄彦智;俞仲威 | 申请（专利权）人： | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 高压 功率 mos 器件 | ||
1.一种垂直型高压功率MOS器件，其特征在于：所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞（16），所述MOS器件单胞（16）进一步包括：位于N型硅片本体（1）上部的P型基体层（2）、位于N型硅片本体（1）中部的轻掺杂N型漂移层（3）、位于N型硅片本体（1）下部的重掺杂N型衬底层（4），位于P型基体层（2）中的沟槽（5）从P型基体层（2）上表面延伸至轻掺杂N型漂移层（3）内；
所述沟槽（5）内间隔设置有第一栅极多晶硅部（6）、第二栅极多晶硅部（14），此第一栅极多晶硅部（6）位于第二栅极多晶硅部（14）正上方，所述第一栅极多晶硅部（6）、第二栅极多晶硅部（14）与沟槽（5）之间设置有第一栅极氧化隔离层（7），所述第一栅极多晶硅部（6）、第二栅极多晶硅部（14）在竖直方向上通过第二栅极氧化隔离层（15）隔离；
位于所述P型基体层（2）上部且在沟槽（5）周边具有一重掺杂N型源极区（8），所述沟槽（5）和栅极多晶硅部（6）上表面覆盖有一绝缘介质层（11），一漏极金属层（12）位于重掺杂N型衬底层（4）与轻掺杂N型漂移层（3）相背的表面；
相邻所述MOS器件单胞（16）之间的P型基体层（2）内具有一深凹槽（17），此深凹槽（17）的下端延伸至轻掺杂N型漂移层（3）的中部，此深凹槽（17）内填充有一绝缘二氧化硅部（18），此深凹槽（17）上表面覆盖有一第二绝缘介质层（19），一源极金属层（13）覆盖于重掺杂N型源极区（8）、绝缘介质层（11）和第二绝缘介质层（19）上表面。
2.根据权利要求1所述的垂直型高压功率MOS器件，其特征在于：所述沟槽（5）与重掺杂N型源极区（8）的深度比为10：2~4。
3.根据权利要求1所述的垂直型高压功率MOS器件，其特征在于：所述沟槽（5）与深凹槽（17）的宽度比为10：3~6。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
