[实用新型]一种碳化硅MOSFET器件有效
| 申请号： | 202022516379.5 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN214176042U | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 杨进;姚强 | 申请（专利权）人： | 西安精匠华鹤电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 高晓倩 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市雁塔区锦业*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种碳化硅MOSFET器件，包括：自下而上依次层叠设置的漏极、衬底和外延区；P型阱区，设置在外延区中，P型阱区的上表面高于外延区的上表面；N源区，设置在外延区中且与P型阱区相邻设置，N源区的上表面高于外延区的上表面；N+注入区和P+注入区，相邻设置在P型阱区中；栅极绝缘层，设置在外延区上且至少部分覆盖N+注入区；栅极，设置在栅极绝缘层上。本实用新型的碳化硅MOSFET器件，没有双极性退化效应，在高温、高频等应用工况下更有优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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