[实用新型]一种碳化硅MOSFET器件有效
| 申请号： | 202022516379.5 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN214176042U | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 杨进;姚强 | 申请（专利权）人： | 西安精匠华鹤电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 高晓倩 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市雁塔区锦业*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 器件 | ||
1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：
自下而上依次层叠设置的漏极(1)、衬底(2)和外延区(3)；
P型阱区(4)，设置在所述外延区(3)中，所述P型阱区(4)的上表面高于所述外延区(3)的上表面；
N源区(5)，设置在所述外延区(3)中且与所述P型阱区(4)相邻设置，所述N源区(5)的上表面高于所述外延区(3)的上表面；
N+注入区(6)和P+注入区(7)，相邻设置在所述P型阱区(4)中；
栅极绝缘层(8)，设置在所述外延区(3)上且至少部分覆盖所述N+注入区(6)；
栅极(9)，设置在所述栅极绝缘层(8)上。
2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述栅极绝缘层(8)延伸以至少部分覆盖所述外延区(3)的上表面，所述栅极(9)还形成在覆盖所述P型阱区(4)侧壁的所述栅极绝缘层(8)上。
3.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述碳化硅MOSFET器件还包括：
源极(10)，设置在所述N+注入区(6)、所述P+注入区(7)以及所述N源区(5)上且部分覆盖所述N+注入区(6)。
4.根据权利要求3所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述源极(10)与所述N源区(5)是肖特基接触。
5.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述碳化硅MOSFET器件还包括：层间绝缘层(11)，所述层间绝缘层(11)覆盖在所述栅极(9)上。
6.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述衬底(2)为碳化硅n+掺杂。
7.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述外延区(3)为碳化硅n-掺杂。
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