[实用新型]一种MOSFET器件有效
| 申请号： | 202022512620.7 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN214176041U | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 姚强;杨进 | 申请（专利权）人： | 西安精匠华鹤电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/872;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 高晓倩 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市雁塔区锦业*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MOSFET器件，包括：漏极、衬底、外延区、第一P型阱区，N+注入区、P+注入区、源极、栅极绝缘层、栅极和第二P型阱区。其中，第一P型阱区设置在外延区中，第一P型阱区的上表面高于外延区的上表面，第二P型阱区，设置在外延区中，且位于相邻两个第一P型阱区之间，第二P型阱区内设置有沟槽。本实用新型的MOSFET器件，在器件内集成的肖特基二极管结构中，引入沟槽结构，在提升器件续流能力的同时，防止肖特基接触面积过大而浪费器件元胞面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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