[实用新型]一种MOSFET器件有效
| 申请号： | 202022512620.7 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN214176041U | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 姚强;杨进 | 申请（专利权）人： | 西安精匠华鹤电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/872;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 高晓倩 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市雁塔区锦业*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 | ||
1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括：
自下而上依次层叠设置的漏极(1)、衬底(2)和外延区(3)；
第一P型阱区(4)，设置在所述外延区(3)中，所述第一P型阱区(4)的上表面高于所述外延区(3)的上表面；
N+注入区(5)和P+注入区(6)，相邻设置在所述第一P型阱区(4)中；
第一金属层(7)，设置在所述第一P型阱区(4)、所述N+注入区(5)和所述P+注入区(6)上，且部分覆盖所述第一P型阱区(4)和所述N+注入区(5)；
栅极绝缘层(8)，设置在所述外延区(3)上且部分覆盖所述第一P型阱区(4)和所述N+注入区(5)；
栅极(9)，设置在所述栅极绝缘层(8)上，所述栅极(9)上覆盖有隔离介质层(10)；
第二P型阱区(11)，设置在所述外延区(3)中，且位于相邻两个所述第一P型阱区(4)之间，所述第二P型阱区(11)内设置有沟槽(12)所述沟槽(12)内表面设置有第二金属层(13)，所述第二金属层(13)延伸至所述外延区(3)的上表面；
第三金属层(14)，覆盖在所述隔离介质层(10)、所述第一金属层(7)和所述第二金属层(13)上。
2.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述第一金属层(7)与所述N+注入区(5)和所述P+注入区(6)之间形成欧姆接触。
3.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述第二金属层(13)与所述沟槽(12)内表面形成欧姆接触，所述第二金属层(13)与所述外延区(3)之间形成肖特基接触。
4.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述栅极绝缘层(8)延伸以至少部分覆盖所述外延区(3)的上表面，所述栅极(9)还形成在覆盖所述第一P型阱区(4)侧壁的所述栅极绝缘层(8)上。
5.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述第二P型阱区(11)的深度大于所述第一P型阱区(4)的深度。
6.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽(12)的深度为0.5μm-3μm，宽度为0.5μm-15μm。
7.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述第一P型阱区(4)与所述第二P型阱区(11)之间的间距为1.5μm-5.5μm。
8.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述衬底(2)为碳化硅n+掺杂。
9.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述外延区(3)为碳化硅n-掺杂。
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