[实用新型]电阻测试结构有效
| 申请号： | 202022359891.3 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN213026120U | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 林均铭;黄秋桐;万海洋 | 申请（专利权）人： | 普迪飞半导体技术(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;G01R31/27 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 王叶娟 |
| 地址： | 200433 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种电阻测试结构，有利于接触孔电阻的测试。电阻测试结构包括：第一晶体管和第二晶体管，共用同一源区和阱区，第一晶体管包括第一栅门、第一漏区以及源区，第二晶体管包括第二栅门、第二漏区以及源区；后端导线，位于源区之上，且与所述源区相垂直；接触孔，位于源区与后端导线之间，用于实现后端导线与源区的互连；第一通孔，连接第一栅门与第二栅门；第二通孔和第三通孔，均设置在后端导线上，且位于接触孔的两侧；第四通孔和第五通孔，分别设置于第一漏区和第二漏区上；第六通孔，设置于阱区上；以及六组测试节点，包括分别连接第一至第六通孔的第一至第六测试节点，六组测试节点用于测试所述接触孔的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 测试 结构 | ||
【主权项】：
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