[实用新型]电阻测试结构有效

专利信息
申请号: 202022359891.3 申请日: 2020-10-21
公开(公告)号: CN213026120U 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 林均铭;黄秋桐;万海洋 申请(专利权)人: 普迪飞半导体技术(上海)有限公司
主分类号: H01L23/58 分类号: H01L23/58;G01R31/27
代理公司: 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 代理人: 王叶娟
地址: 200433 上海市杨*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电阻 测试 结构
【权利要求书】:

1.一种电阻测试结构,其特征在于,包括:

第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管共用同一源区和阱区,所述第一晶体管包括第一栅门、第一漏区以及所述源区,所述第二晶体管包括第二栅门、第二漏区以及所述源区;

后端导线,位于所述源区之上,且与所述源区相垂直;

接触孔,位于所述源区与所述后端导线之间,用于实现所述后端导线与源区的互连;

第一通孔,连接所述第一栅门与第二栅门;

第二通孔和第三通孔,均设置在所述后端导线上,且位于所述接触孔的两侧;

第四通孔和第五通孔,分别设置于所述第一漏区和第二漏区上;

第六通孔,设置于所述阱区上;以及,

六组测试节点,包括分别连接所述第一至第六通孔的第一至第六测试节点,所述六组测试节点用于测试所述接触孔的电阻值。

2.如权利要求1所述的电阻测试结构,其特征在于,每一测试节点至少包括:引出线和导体块;

所述引出线的第一端连接相应的通孔,所述引出线的第二端连接所述导体块;

所述导体块用于接收外部的测试电压或测试电流,所述导体块位于阱区之外。

3.如权利要求1所述的电阻测试结构,其特征在于,

所述第一栅门与第二栅门的尺寸相同;

所述第一通孔的第一端连接所述第一栅门,所述第一通孔的第二端连接所述第二栅门;

所述第一端、所述第二端分别位于偏离所述第一栅门在长度方向上的中心点的位置;

所述第一端到所述第一栅门的一个端部的距离、与所述第二端到所述第二栅门的一个端部的距离相同。

4.如权利要求1所述的电阻测试结构,其特征在于,

所述第一栅门与所述第二栅门平行排列,所述第一栅门与所述第二栅门位于所述第一漏区与所述第二漏区之间;

所述源区垂直于所述第一栅门和第二栅门,并且两端分别延伸至所述第一漏区和第二漏区;

所述接触孔位于所述源区在长度方向上的中心点的位置。

5.如权利要求4所述的电阻测试结构,其特征在于,

所述后端导线位于所述第一栅门和第二栅门之间,所述后端导线由尺寸相同的第一导线部和第二导线部构成,所述第一导线部位于所述接触孔的一侧,所述第二导线部位于所述接触孔的另一侧;

所述第二通孔位于所述第一导线部,所述第三通孔位于所述第二导线部,且所述第二通孔到所述接触孔的距离、与所述第三通孔到所述接触孔的距离相同。

6.如权利要求1所述的电阻测试结构,其特征在于,

所述第一漏区与所述第二漏区的尺寸相同;

所述第四通孔位于所述第一漏区在长度方向上的中心点的位置;

所述第五通孔位于所述第二漏区在长度方向上的中心点的位置。

7.如权利要求1所述的电阻测试结构,其特征在于,

所述后端导线的长度短于所述第一栅门、及第二栅门的长度。

8.如权利要求1所述的电阻测试结构,其特征在于,

所述接触孔内填充有钨。

9.如权利要求1所述的电阻测试结构,其特征在于,

所述第一-第六通孔内填充有铜。

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