[实用新型]电阻测试结构有效
| 申请号: | 202022359891.3 | 申请日: | 2020-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN213026120U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
| 发明(设计)人: | 林均铭;黄秋桐;万海洋 | 申请(专利权)人: | 普迪飞半导体技术(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58;G01R31/27 |
| 代理公司: | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人: | 王叶娟 |
| 地址: | 200433 上海市杨*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电阻 测试 结构 | ||
本实用新型提供一种电阻测试结构,有利于接触孔电阻的测试。电阻测试结构包括:第一晶体管和第二晶体管,共用同一源区和阱区,第一晶体管包括第一栅门、第一漏区以及源区,第二晶体管包括第二栅门、第二漏区以及源区;后端导线,位于源区之上,且与所述源区相垂直;接触孔,位于源区与后端导线之间,用于实现后端导线与源区的互连;第一通孔,连接第一栅门与第二栅门;第二通孔和第三通孔,均设置在后端导线上,且位于接触孔的两侧;第四通孔和第五通孔,分别设置于第一漏区和第二漏区上;第六通孔,设置于阱区上;以及六组测试节点,包括分别连接第一至第六通孔的第一至第六测试节点,六组测试节点用于测试所述接触孔的电阻值。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种电阻测试结构。
背景技术
随着集成电路技术的发展,集成电路内包含的晶体管等半导体器件的数量越来越多,层数也组件的增加。在集成电路工艺中,通常采用接触孔实现上下层之间的互连。如果接触孔异常,则可能导致整个集成电路的功能无法达到预期。通过测量接触孔的电阻,可以较好地判断接触孔制作的精准性,从而确定接触孔是否异常。
然而,目前尚且缺乏能够较为准确地测试出接触孔电阻的技术。
发明内容
本实用新型提供一种电阻测试结构,有利于接触孔电阻的测试。
本实用新型的第一方面提供了一种电阻测试结构,包括:
第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管共用同一源区和阱区,所述第一晶体管包括第一栅门、第一漏区以及所述源区,所述第二晶体管包括第二栅门、第二漏区以及所述源区;
后端导线,位于所述源区之上,且与所述源区相垂直;
接触孔,位于所述源区与所述后端导线之间,用于实现所述后端导线与源区的互连;
第一通孔,连接所述第一栅门与第二栅门;
第二通孔和第三通孔,均设置在所述后端导线上,且位于所述接触孔的两侧;
第四通孔和第五通孔,分别设置于所述第一漏区和第二漏区上;
第六通孔,设置于所述阱区上;以及,
六组测试节点,包括分别连接所述第一至第六通孔的第一至第六测试节点,所述六组测试节点用于测试所述接触孔的电阻值。
根据本实用新型的一个实施例,每一测试节点至少包括:引出线和导体块;
所述引出线的第一端连接相应的通孔,所述引出线的第二端连接所述导体块;
所述导体块用于接收外部的测试电压或测试电流,所述导体块位于阱区之外。
根据本实用新型的一个实施例,
所述第一栅门与第二栅门的尺寸相同;
所述第一通孔的第一端连接所述第一栅门,所述第一通孔的第二端连接所述第二栅门;
所述第一端、所述第二端分别位于偏离所述第一栅门在长度方向上的中心点的位置;
所述第一端到所述第一栅门的一个端部的距离、与所述第二端到所述第二栅门的一个端部的距离相同。
根据本实用新型的一个实施例,
所述第一栅门与所述第二栅门平行排列,所述第一栅门与所述第二栅门位于所述第一漏区与所述第二漏区之间;
所述源区垂直于所述第一栅门和第二栅门,并且两端分别延伸至所述第一漏区和第二漏区;
所述接触孔位于所述源区在长度方向上的中心点的位置。
根据本实用新型的一个实施例,
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