[实用新型]PECVD设备有效
申请号: | 202022096863.7 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN213570728U | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 李玉平;宋颖;曹华煜 | 申请(专利权)人: | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 弋梅梅;刘芳 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种PECVD设备,包括腔室、升降组件、位于腔室内的遮蔽架和多个支撑件,腔室可封闭,支撑件沿腔室的内侧壁间隔设置,且各支撑件位于同一水平面上,遮蔽架搭设在多个支撑件上且与腔室的内侧壁之间具有间隙,至少部分升降组件伸入腔室内且可沿竖直方向往复移动,用以使遮蔽架搭设在升降组件的基板上或搭设在多个支撑件上。本实用新型提供的PECVD设备,减少支撑件与腔室内侧壁和遮蔽架摩擦产生的颗粒,提高产品的良品率。 | ||
搜索关键词: | pecvd 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的