[实用新型]PECVD设备

说明书

本实用新型提供一种PECVD设备，包括腔室、升降组件、位于腔室内的遮蔽架和多个支撑件，腔室可封闭，支撑件沿腔室的内侧壁间隔设置，且各支撑件位于同一水平面上，遮蔽架搭设在多个支撑件上且与腔室的内侧壁之间具有间隙，至少部分升降组件伸入腔室内且可沿竖直方向往复移动，用以使遮蔽架搭设在升降组件的基板上或搭设在多个支撑件上。本实用新型提供的PECVD设备，减少支撑件与腔室内侧壁和遮蔽架摩擦产生的颗粒，提高产品的良品率。

技术领域

本实用新型涉及电子设备制造技术领域，尤其涉及一种PECVD设备。

背景技术

等离子体增强化学的气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VapourDeposition， PECVD)，是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性较强，易发生反应，在基片上沉积出的薄膜。

现有的PECVD设备包括腔室、升降组件、位于所述腔室内遮蔽架和支撑件，腔室可封闭，支撑件呈长条型，支撑件分别位于腔室的不同侧壁上，且支撑件位于同一水平面上，遮蔽架与腔室的内侧壁之间具有间隙，升降组件部分伸入腔室内，且可沿竖直方向移动，以使遮蔽架移动至支撑件的上方，或者，遮蔽架覆盖在各支撑件上。当基板放置在升降组件上镀膜时，升降组件带动基板沿竖直方向向上移动，以使遮蔽架移动至支撑件的上方，此时遮蔽架与支撑件分离；镀膜完成后，升降组件带动基板沿竖直方向向下移动，以使遮蔽架覆盖在各支撑件上，此时遮蔽架与支撑件抵接。

然而，在镀膜过程中，支撑件与腔室内侧壁和遮蔽架之间易于发生摩擦而产生颗粒，影响产品的良品率。

实用新型内容

本实用新型提供一种PECVD设备，能减少支撑件与腔室内侧壁和遮蔽架摩擦产生的颗粒，提高产品的良品率。

本实用新型提供一种PECVD设备，包括腔室、升降组件、位于所述腔室内的遮蔽架和多个支撑件，所述腔室可封闭，所述支撑件沿所述腔室的内侧壁间隔设置，且各所述支撑件位于同一水平面上，所述遮蔽架搭设在多个所述支撑件上且与所述腔室的内侧壁之间具有间隙，至少部分所述升降组件伸入所述腔室内且可沿竖直方向往复移动，用以使所述遮蔽架搭设在所述升降组件的基板上或搭设在多个所述支撑件上。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种PECVD设备，所述支撑件支撑所述遮蔽架的至少相对两侧。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种PECVD设备，所述支撑件包括第一连接部和与所述第一连接部连接的第一支撑部，所述第一连接部用于与所述腔室的内侧壁连接，所述第一支撑部朝向所述腔室的中部延伸，所述第一支撑部用于支撑所述遮蔽架。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种PECVD设备，还包括第一连接件，所述第一连接件与所述支撑件连接，所述第一连接件位于所述支撑件与所述遮蔽架之间。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种PECVD设备，所述第一连接件包括第二连接部和与所述第二连接部连接的第二支撑部，所述第二连接部与所述第一连接部固接，所述第二支撑部覆盖至少部分所述第一支撑部。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种PECVD设备，所述第一连接件为陶瓷件。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种PECVD设备，所述腔室的内侧壁具有多个间隔设置的第二连接件，所述第二连接件与所述支撑件一一对应设置，所述第一连接部通过所述第二连接件与所述腔室的内侧壁连接。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种PECVD设备，所述第二连接件背离所述腔室的内侧壁的一面上具有容置槽，所述第一连接部容置于所述容置槽内，且与所述容置槽的底壁固接。