[实用新型]一种多功能集成传感器单晶硅片有效
申请号: | 202022001041.6 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN213026146U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 李乐 | 申请(专利权)人: | 上海三杰仪器仪表有限公司 |
主分类号: | H01L31/024 | 分类号: | H01L31/024;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0203;H01L31/09;H01L31/101 |
代理公司: | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人: | 周高 |
地址: | 201108 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及半导体技术领域,且公开了一种多功能集成传感器单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体的顶部固定连接有绒面结构层,所述绒面结构层的顶部固定连接有减反射层,所述减反射层的顶部活动连接有保护层,所述保护层的顶部活动连接有第一限位环,所述第一限位环的外壁固定连接有第二限位环,所述第二限位环的外壁固定连接有外壳,所述外壳的内壁固定连接有内壳,所述内壳与单晶硅片本体之间固定连接有第三限位环,所述第三限位环与内壳之间固定连接有反射层。该多功能集成传感器单晶硅片,解决了一般多功能集成传感器单晶硅片散热效果不好的问题,在实际运用时,能够提高传感器的工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 多功能 集成 传感器 单晶硅 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的