[实用新型]一种多功能集成传感器单晶硅片有效
申请号: | 202022001041.6 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN213026146U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 李乐 | 申请(专利权)人: | 上海三杰仪器仪表有限公司 |
主分类号: | H01L31/024 | 分类号: | H01L31/024;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0203;H01L31/09;H01L31/101 |
代理公司: | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人: | 周高 |
地址: | 201108 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多功能 集成 传感器 单晶硅 | ||
本实用新型涉及半导体技术领域,且公开了一种多功能集成传感器单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体的顶部固定连接有绒面结构层,所述绒面结构层的顶部固定连接有减反射层,所述减反射层的顶部活动连接有保护层,所述保护层的顶部活动连接有第一限位环,所述第一限位环的外壁固定连接有第二限位环,所述第二限位环的外壁固定连接有外壳,所述外壳的内壁固定连接有内壳,所述内壳与单晶硅片本体之间固定连接有第三限位环,所述第三限位环与内壳之间固定连接有反射层。该多功能集成传感器单晶硅片,解决了一般多功能集成传感器单晶硅片散热效果不好的问题,在实际运用时,能够提高传感器的工作效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,具体为一种多功能集成传感器单晶硅片。
背景技术
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保和方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产和市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能,实现了迈向绿色能源革命的开始。北京二零零八年奥运会将把“绿色奥运”做为重要展示面向全世界展现,单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。现在,国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段,正在向实际应用阶段过渡,太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围,市场需求量不言而喻。目前市面上大部分的多功能集成传感器单晶硅片在使用过程中会产生热量,在一定的温度条件下,对于多功能集成传感器单晶硅片来说是有利的,能够提高多功能集成传感器单晶硅片的灵敏度,但是当温度过高时,温度就会变成不利条件。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种多功能集成传感器单晶硅片,具备散热效果好等优点,解决了一般多功能集成传感器单晶硅片散热效果不好的问题。
(二)技术方案
为实现上述散热效果好的目的,本实用新型提供如下技术方案:一种多功能集成传感器单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体的顶部固定连接有绒面结构层,所述绒面结构层的顶部固定连接有减反射层,所述减反射层的顶部活动连接有保护层,所述保护层的顶部活动连接有第一限位环,所述第一限位环的外壁固定连接有第二限位环,所述第二限位环的外壁固定连接有外壳,所述外壳的内壁固定连接有内壳,所述内壳与单晶硅片本体之间固定连接有第三限位环,所述第三限位环与内壳之间固定连接有反射层,所述单晶硅片本体的底部固定连接有导热块,所述导热块的底部活动连接有导热层,所述内壳的底部固定连接有均热板,所述均热板的底部固定连接有散热片。
优选的,所述绒面结构层为微小的金字塔体绒面层,且整个绒面结构层的高度不均匀。
优选的,所述保护层为玻璃保护层,且保护层经过超白钢化处理。
优选的,所述减反射层为减反射膜,且减反射层为单层膜。
优选的,所述反射层为凹形反射层,且反射层的厚度为零点五毫米。
优选的,所述导热层为硅脂导热层,且导热层的厚度为一毫米。
优选的,所述均热板为铝制均热板,且均热板的厚度为五毫米。
(三)有益效果
与现有技术相比,本实用新型提供了一种多功能集成传感器单晶硅片,具备以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的