[实用新型]晶体硅太阳能电池背电极图形结构有效
| 申请号: | 202021944340.7 | 申请日: | 2020-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN212303685U | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 张原;周超;高纪凡;陈红;李森 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
| 地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型属于光伏发电技术领域,尤其涉及一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构,包括位于电池背面上的电极图形,所述的电极图形包括主栅、副栅和pad点,所述的主栅和pad点为银浆料层,所述的副栅为铝浆料层。本实用新型提供的晶体硅太阳能电池背电极图形结构在主栅的材料上用银浆代替了铝浆,增加了pad点数量,设计了副栅汇流条,加强了主栅导流能力,有利于提升短路电流,降低串联电阻,从而提升了组件功率,减少了内部电损耗。同时,为了降低工艺精度要求,设计了副栅渐变加粗结构,保证了副栅基体和pad点的良好接触。 | ||
| 搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 电极 图形 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





