[实用新型]晶体硅太阳能电池背电极图形结构有效

专利信息
申请号: 202021944340.7 申请日: 2020-09-08
公开(公告)号: CN212303685U 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 张原;周超;高纪凡;陈红;李森 申请(专利权)人: 天合光能股份有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 郭小丽
地址: 213031 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 晶体 太阳能电池 电极 图形 结构
【权利要求书】:

1.一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构,包括位于电池背面上的电极图形,其特征在于,所述的电极图形包括主栅(1)、副栅(2)和pad点(3),所述的主栅(1)和pad点(3)为银浆料层,所述的副栅(2)为铝浆料层。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,所述的副栅(2)包括若干副栅基体(21)和副栅汇流条(23),副栅基体(21)与副栅汇流条(23)连接,每条副栅汇流条(23)分成若干段呈直线设置的副栅汇流条(23),每两段相邻的副栅汇流条(23)之间设有一个pad点(3)且副栅汇流条(23)端部与pad点(3)连接。

3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,若干副栅基体(21)与pad点(3)连接,或者与副栅汇流条(23)直接连接。

4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,当副栅基体(21)与pad点(3)连接时,该副栅基体(21)与pad点(3)连接的端部设有副栅渐变加粗结构(22),副栅渐变加粗结构(22)的宽度由pad点(3)的边缘向中心的方向逐渐变大,副栅渐变加粗结构(22)与pad点(3)固定连接。

5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,所述的副栅渐变加粗结构(22)呈水滴状,且最宽处的宽度为0.3mm。

6.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,主栅(1)包括若干主栅线(11),所述主栅线(11)与副栅基体(21)垂直,副栅汇流条(23)与主栅线(11)平行,每条主栅线(11)的两侧分别设有一条副栅汇流条(23)。

7.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,所述的pad点(3)包括大pad点和小pad点,其中,大pad点设置于每个半片电池片的每根主栅线(11)的首部和/或尾部,若干个小pad点沿每根主栅线(11)的长度方向等间距地分布。

8.根据权利要求7所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,所述的大pad点长度为2.6mm,宽度为1.6mm,小pad点长度为1.6mm,宽度为1mm,所述的主栅线(11)的宽度为0.15mm,所述的副栅汇流条(23)的宽度为0.12mm,所述的副栅基体(21)的宽度为0.12mm。

9.根据权利要求7所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,每个大pad点的一侧连接3根副栅基体(21),每个小pad点的一侧连接一根副栅基体(21)。

10.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,每段副栅汇流条(23)的端部通过弧形结构(24)连接副栅渐变加粗结构(22)远离pad点(3)的一端。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天合光能股份有限公司,未经天合光能股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021944340.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top