[实用新型]晶体硅太阳能电池背电极图形结构有效
| 申请号: | 202021944340.7 | 申请日: | 2020-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN212303685U | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 张原;周超;高纪凡;陈红;李森 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
| 地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 电极 图形 结构 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构,包括位于电池背面上的电极图形,其特征在于,所述的电极图形包括主栅(1)、副栅(2)和pad点(3),所述的主栅(1)和pad点(3)为银浆料层,所述的副栅(2)为铝浆料层。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,所述的副栅(2)包括若干副栅基体(21)和副栅汇流条(23),副栅基体(21)与副栅汇流条(23)连接,每条副栅汇流条(23)分成若干段呈直线设置的副栅汇流条(23),每两段相邻的副栅汇流条(23)之间设有一个pad点(3)且副栅汇流条(23)端部与pad点(3)连接。
3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,若干副栅基体(21)与pad点(3)连接,或者与副栅汇流条(23)直接连接。
4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,当副栅基体(21)与pad点(3)连接时,该副栅基体(21)与pad点(3)连接的端部设有副栅渐变加粗结构(22),副栅渐变加粗结构(22)的宽度由pad点(3)的边缘向中心的方向逐渐变大,副栅渐变加粗结构(22)与pad点(3)固定连接。
5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,所述的副栅渐变加粗结构(22)呈水滴状,且最宽处的宽度为0.3mm。
6.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,主栅(1)包括若干主栅线(11),所述主栅线(11)与副栅基体(21)垂直,副栅汇流条(23)与主栅线(11)平行,每条主栅线(11)的两侧分别设有一条副栅汇流条(23)。
7.根据权利要求6所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,所述的pad点(3)包括大pad点和小pad点,其中,大pad点设置于每个半片电池片的每根主栅线(11)的首部和/或尾部,若干个小pad点沿每根主栅线(11)的长度方向等间距地分布。
8.根据权利要求7所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,所述的大pad点长度为2.6mm,宽度为1.6mm,小pad点长度为1.6mm,宽度为1mm,所述的主栅线(11)的宽度为0.15mm,所述的副栅汇流条(23)的宽度为0.12mm,所述的副栅基体(21)的宽度为0.12mm。
9.根据权利要求7所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,每个大pad点的一侧连接3根副栅基体(21),每个小pad点的一侧连接一根副栅基体(21)。
10.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构,其特征在于,每段副栅汇流条(23)的端部通过弧形结构(24)连接副栅渐变加粗结构(22)远离pad点(3)的一端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





