[实用新型]晶体硅太阳能电池背电极图形结构有效
| 申请号: | 202021944340.7 | 申请日: | 2020-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN212303685U | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 张原;周超;高纪凡;陈红;李森 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
| 地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 电极 图形 结构 | ||
本实用新型属于光伏发电技术领域,尤其涉及一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构,包括位于电池背面上的电极图形,所述的电极图形包括主栅、副栅和pad点,所述的主栅和pad点为银浆料层,所述的副栅为铝浆料层。本实用新型提供的晶体硅太阳能电池背电极图形结构在主栅的材料上用银浆代替了铝浆,增加了pad点数量,设计了副栅汇流条,加强了主栅导流能力,有利于提升短路电流,降低串联电阻,从而提升了组件功率,减少了内部电损耗。同时,为了降低工艺精度要求,设计了副栅渐变加粗结构,保证了副栅基体和pad点的良好接触。
技术领域
本实用新型属于光伏发电技术领域,涉及一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构。
背景技术
近年来,太阳能技术不断进步,生产成本不断下降,转化效率不断提升,使得光伏发电的应用日益普及并迅猛发展。随着光伏发电技术平价上网的进程加快,市场从原来仅仅重视高功率,日益转变为兼具高功率、在任何安装条件下长时间稳定的发电量、低衰减和低成本的综合要求,以此真正降低用户端度电成本。所以如何有效降低度电成本成为目前行业普遍所关心问题,而作为光伏系统端发电的核心部件——光伏组件是重中之重,组件高功率是促成平价上网的必备技术通道,提升组件内部光通量、降低内部电损耗也成为当前组件功率提升的主要路径。进一步的决定光伏组件单位发电量的核心器件为太阳电池,其中的金属电极制做作为晶体硅太阳电池的最后一道工序,同时也是串并联起电池组件不同焊接方式,决定光伏发电模组内阻损耗大小和光生电流能否顺利导出的关键。该工序中贵金属浆料、精密网版等耗材长期占据电池制备物料中非硅成本的绝大比例,因此晶体硅太阳电池正背面金属电极尤其正面Ag金属电极的设计制造,与其量产化成本紧密相关。
为了减少银浆耗量,目前晶体硅太阳能电池的背电极主、副栅多采用铝浆,pad点采用银浆。这种设计降低了制作成本,但是相较银,铝导电性较弱,不易于电池组件的功率提升,导致了较高的内部电损耗。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对上述问题,提供一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构。
为达到上述目的,本实用新型采用了下列技术方案:
一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构,包括位于电池背面上的电极图形,所述的电极图形包括主栅、副栅和pad点,所述的主栅和pad点为银浆料层,所述的副栅为铝浆料层。
进一步的,所述的副栅包括若干副栅基体和副栅汇流条,副栅基体与副栅汇流条连接,每条副栅汇流条分成若干段呈直线设置的副栅汇流条,每两段相邻的副栅汇流条之间设有一个pad点且副栅汇流条端部与pad点连接。
进一步的,若干副栅基体与pad点连接,或者与副栅汇流条直接连接。
进一步的,当副栅基体与pad点连接时,该副栅基体与pad点连接的端部设有副栅渐变加粗结构,副栅渐变加粗结构的宽度由pad点的边缘向中心的方向逐渐变大,副栅渐变加粗结构与pad点固定连接。
进一步的,所述的副栅渐变加粗结构呈水滴状,且最宽处的宽度为0.3mm。
进一步的,主栅包括若干主栅线,所述主栅线与副栅基体垂直,副栅汇流条与主栅线平行,每条主栅线的两侧分别设有一条副栅汇流条。
进一步的,所述的pad点(3)包括大pad点和小pad点,其中,大pad点设置于每个半片电池片的每根主栅线(11)的首部和/或尾部,若干个小pad点沿每根主栅线(11)的长度方向等间距地分布。
进一步的,所述的大pad点长度为2.6mm,宽度为1.6mm,小pad点长度为1.6mm,宽度为1mm,所述的主栅线的宽度为0.15mm,所述的副栅汇流条的宽度为0.12mm,所述的副栅基体的宽度为0.12mm。
进一步的,每个大pad点的一侧连接3根副栅基体,每个小pad点的一侧连接一根副栅基体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





