[实用新型]高压晶闸管器件有效
| 申请号： | 202021859235.3 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN212810285U | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 唐兴军;王亚 | 申请（专利权）人： | 苏州兴锝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L29/74;H01L23/488 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215010 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种高压晶闸管器件，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，此源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔；所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块；陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出。本实用新型有利于进一步提高器件的功率，也便于热量扩散，防止水汽进入器件内部，便于热量扩散同时，提高了器件整体结构稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 晶闸管 器件 | ||
【主权项】：
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