[实用新型]高压晶闸管器件有效
| 申请号： | 202021859235.3 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN212810285U | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 唐兴军;王亚 | 申请（专利权）人： | 苏州兴锝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L29/74;H01L23/488 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215010 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 晶闸管 器件 | ||
1.一种高压晶闸管器件，其特征在于：包括：可控硅芯片（1）、陶瓷绝缘片（2）、阳极电极（3）、阴极电极（4）和栅极电极（5），所述陶瓷绝缘片（2）开有通孔（21），此通孔（21）内设置有一导电柱（6），所述可控硅芯片（1）位于陶瓷绝缘片（2）的一表面并覆盖通孔（21），此可控硅芯片（1）的阳极区（101）通过一焊膏层（7）与所述导电柱（6）一端电连接，所述阳极电极（3）位于陶瓷绝缘片（2）与可控硅芯片（1）相背的表面，此阳极电极（3）的阳极焊接部（31）与导电柱（6）另一端电连接；
所述可控硅芯片（1）、陶瓷绝缘片（2）、阳极电极（3）的阳极焊接部（31）、阴极电极（4）的阴极焊接部（41）和栅极电极（5）的栅极焊接部（51）位于环氧封装体（8）内，所述阴极电极（4）的阴极焊接部（41）与可控硅芯片（1）的阴极区（102）通过第一导线（9）连接，所述栅极电极（5）的栅极焊接部与可控硅芯片（1）的栅极区（103）通过第二导线（10）连接，所述阳极电极（3）的阳极管脚（32）、阴极电极（4）的阴极管脚（42）和栅极电极（5）的栅极管脚（52）从环氧封装体（8）内延伸出。
2.根据权利要求1所述的高压晶闸管器件，其特征在于：所述第一导线（9）为带状导线条。
3.根据权利要求1所述的高压晶闸管器件，其特征在于：所述阴极电极（4）与可控硅芯片（1）位于同一水平面上。
4.根据权利要求1所述的高压晶闸管器件，其特征在于：所述栅极电极（5）与可控硅芯片（1）位于同一水平面上。
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