[实用新型]高压晶闸管器件

说明书

本实用新型公开一种高压晶闸管器件，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，此源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔；所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块；陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出。本实用新型有利于进一步提高器件的功率，也便于热量扩散，防止水汽进入器件内部，便于热量扩散同时，提高了器件整体结构稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种高压晶闸管器件。

背景技术

可控硅是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管，可控硅整流器件是一种非常重要的功率器件，可用来做高电压和高电流的控制。可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种高压晶闸管器件，该高压晶闸管器件大大增加了可控硅芯片与陶瓷绝缘片接触面积，既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种高压晶闸管器件，包括：可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极，所述陶瓷绝缘片开有通孔，此通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；

所述可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接，所述栅极电极的栅极焊接部与可控硅芯片的栅极区通过第二导线连接，所述阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述陶瓷导热本体的通孔数目为2个。

2. 上述方案中，所述陶瓷导热本体的导槽的截面形状为弧形。

3. 上述方案中，所述金属引线的端面板（118）的面积大于二极管芯片（111）的面积。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型高压晶闸管器件，其陶瓷绝缘片开有通孔，此通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；大大增加了可控硅芯片与陶瓷绝缘片接触面积，且直接接触，既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也增加了可控硅芯片与阳极电极的垂直距离，提高了器件的可靠性。

附图说明

附图1为本实用新型高压晶闸管器件的结构示意图；

附图2为附图1的剖视结构示意图。

以上附图中：1、可控硅芯片；101、阳极区；102、阴极区；103、栅极区；2、陶瓷绝缘片；21、通孔；3、阳极电极；31、阳极焊接部；32、阳极管脚；4、阴极电极；41、阴极焊接部；42、阴极管脚；5、栅极电极；51、栅极焊接部；52、栅极管脚；6、导电柱；7、焊膏层；8、环氧封装体；9、第一导线；10、第二导线。