[实用新型]一种应用于MOCVD新型液态源气化系统的载气装置有效
| 申请号: | 202021842376.4 | 申请日: | 2020-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN213013086U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
| 发明(设计)人: | 孙飞 | 申请(专利权)人: | 苏州尚勤光电科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 江苏昆成律师事务所 32281 | 代理人: | 刘尚轲 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型为了解决载气装置使得载气在不与液态MO源物质反应的同时使得整个系统输送到工艺室内的液态MO源的蒸汽没有杂质的问题,提出一种应用于MOCVD新型液态源气化系统的载气装置,采用氮气、氢气或者氩气作为载气,性能稳定,不易燃烧,不会爆炸,载气管路和液态源管路通过第一辅助管路连通,液态源管路的输出端还连接真空管路,通过第一辅助管路、真空管路和载气管路的配合,对整个液态源气化系统管道进行清洗,排除残渣。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 应用于 mocvd 新型 液态 气化 系统 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





