[实用新型]一种应用于MOCVD新型液态源气化系统的载气装置有效
| 申请号: | 202021842376.4 | 申请日: | 2020-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN213013086U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
| 发明(设计)人: | 孙飞 | 申请(专利权)人: | 苏州尚勤光电科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 江苏昆成律师事务所 32281 | 代理人: | 刘尚轲 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 应用于 mocvd 新型 液态 气化 系统 装置 | ||
本实用新型为了解决载气装置使得载气在不与液态MO源物质反应的同时使得整个系统输送到工艺室内的液态MO源的蒸汽没有杂质的问题,提出一种应用于MOCVD新型液态源气化系统的载气装置,采用氮气、氢气或者氩气作为载气,性能稳定,不易燃烧,不会爆炸,载气管路和液态源管路通过第一辅助管路连通,液态源管路的输出端还连接真空管路,通过第一辅助管路、真空管路和载气管路的配合,对整个液态源气化系统管道进行清洗,排除残渣。
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,较为具体的,涉及到一种应用于MOCVD新型液态源气化系统的载气装置。
背景技术
用气态源MOCVD法沉积一些功能金属氧化物薄膜,要求所选用的金属有机物应在高的蒸气压下具有高的分子稳定性,以避免输送过程中的分解。然而,由于一些功能金属氧化物的组分复杂,元素难以合成出气态MO源和有较高蒸气压的液态MO源物质,而蒸气压低、热稳定性差的MO源先体,不可能通过鼓泡器(bubbler)由载气气体输运到反应室。
采用液态源输送的方法,是目前国内外研究的重要方向,采用将液态源送入气化室得到气态源物质,再经过流量控制送入反应室,或者直接向反应室注入液态先体,在反应室内气化、沉积;这种方式的优点是简化了源输送方式,对源材料的要求降低,便于实现多种薄膜的交替沉积以获得超晶格结构等,然而怎么设计载气装置使得载气在不与液态MO源物质反应的同时使得整个系统输送到工艺室内的液态MO源的蒸汽没有杂质,成了当下需要解决的问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型为了解决载气装置使得载气在不与液态MO源物质反应的同时使得整个系统输送到工艺室内的液态MO源的蒸汽没有杂质的问题,提出一种应用于MOCVD新型液态源气化系统的载气装置,采用氦气,氮气、氢气、氩气作为载气,氦气是自然界中存在的最小单态原子惰性气体,性能稳定,不易燃烧,不会爆炸,载气管路和液态源管路通过多条辅助管路连通,其中一条辅助管路的输出端连接真空管路,通过多条辅助管路、真空管路、蒸发器管路、液态源管路和载气管路的配合,对整个液态源气化系统管道进行清洗,排除残渣。
一种应用于MOCVD新型液态源气化系统的载气装置,包括:载气管路1、液态源管路2、蒸发器3、蒸发器管路4、第一辅助管路8、第二辅助管路11、第三辅助管路12、第四辅助管路13、真空管路9和工艺室5,载气管路1连接蒸发器3,蒸发器3连接蒸发器管路4,蒸发器管路4连接工艺室5,液态源管路2连接蒸发器3,其特征在于:液态源管路2还连接第二辅助管路11、第三辅助管路12和真空管路9的输入端,第二辅助管路11的输出端连接有蒸发器3,第三辅助管路12的输出端连接有蒸发器管路4,第四辅助管路13的输入端连接有蒸发器3,第四辅助管路13的输出端连接有真空管路9,第一辅助管路8的输入端连接载气管路1,第一辅助管路8的输出端连接液态源管路2。
进一步的,载气管路1上设有气体质量流量控制器6,气体质量流量控制器6用于测量和控制载气的流量,载气的流量取决于具体的应用制程和液态源的类型。
进一步的,载气管路1、液态源管路2和蒸发器管路4上均设有一个或多个电动气动阀。
进一步的,液态源管路2上设有液体质量流量控制器7,液体质量流量控制器7用于测量和控制液态源的流量。
进一步的,液态源包括但不限于三氯氢硅、三甲基镓和三甲基铝中的一种,载气包括但不限于氮气、氢气或氩气中的一种。
进一步的,液态源为沸点在0℃~200℃范围内的液态源。
进一步的,载气管路1、液态源管路2、蒸发器管路4、第一辅助管路8、第二辅助管路11、第三辅助管路12、第四辅助管路13和真空管路9的材质为不锈钢,防止管道出现急剧变小或不通畅的情况,以避免载气或者液态源蒸气压缩冷凝现象。
进一步的,真空管路9上设有氦气检漏阀10,若氦气检漏可通过,则其余气体都不会漏进系统。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





